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GA0805Y332JBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/5 10:19:32 查看 閱讀:14

GA0805Y332JBBBR31G是一款高性能的工業(yè)級(jí)功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高耐壓以及快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
  該型號(hào)屬于功率MOSFET家族,適用于多種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,特別是在需要高效能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定性能的場(chǎng)景下表現(xiàn)出色。

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):650V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id):7.8A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.45Ω
  總功耗(Ptot):250W
  結(jié)溫范圍(Tj):-55℃ to +175℃
  封裝形式:TO-247

特性

GA0805Y332JBBBR31G的主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓:該器件具有650V的最大漏源電壓,確保在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
  2. 低導(dǎo)通電阻:其導(dǎo)通電阻僅為0.45Ω,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率。
  3. 快速開(kāi)關(guān)能力:優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使其具備快速的開(kāi)關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用。
  4. 強(qiáng)大的散熱性能:采用大功率封裝形式(TO-247),能夠有效散發(fā)熱量,維持長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作。
  5. 寬廣的工作溫度范圍:支持從-55℃到+175℃的結(jié)溫范圍,適應(yīng)各種極端環(huán)境條件。
  6. 高可靠性:通過(guò)了嚴(yán)格的測(cè)試和驗(yàn)證流程,確保在惡劣工況下的長(zhǎng)期可靠性。

應(yīng)用

GA0805Y332JBBBR31G廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS):用于AC-DC或DC-DC轉(zhuǎn)換器中的主開(kāi)關(guān)管,提供高效的電能轉(zhuǎn)換。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):控制直流無(wú)刷電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)的啟停與速度調(diào)節(jié)。
  3. 工業(yè)逆變器:實(shí)現(xiàn)電能的逆變輸出,用于太陽(yáng)能發(fā)電或UPS系統(tǒng)。
  4. 負(fù)載切換:在電信設(shè)備或服務(wù)器中用作負(fù)載切換開(kāi)關(guān)。
  5. 過(guò)流保護(hù)電路:作為過(guò)流保護(hù)的關(guān)鍵元件,防止電路因異常電流而損壞。

替代型號(hào)

GA0805Y332JBBBR32G, IRF840, STP75NF06

ga0805y332jbbbr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容3300 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-