GA0805Y393KBBBR31G 是一款高性能的工業(yè)級功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的溝槽式MOSFET制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低系統(tǒng)功耗。
該型號屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,適用于需要快速開關(guān)和高電流承載能力的應(yīng)用場景。通過優(yōu)化柵極電荷和輸出電容參數(shù),此芯片能夠在高頻開關(guān)條件下提供卓越的性能。
最大漏源電壓:60V
最大漏極電流:14A
導(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷:25nC
工作溫度范圍:-55℃ to 175℃
封裝形式:TO-220
GA0805Y393KBBBR31G 的主要特點(diǎn)包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),從而減少功率損耗。
2. 快速的開關(guān)速度,得益于較小的柵極電荷(Qg)和輸出電容(Coss)。
3. 寬泛的工作溫度范圍使其非常適合惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。
4. 具備出色的熱穩(wěn)定性,確保長時(shí)間運(yùn)行中的可靠性。
5. 高雪崩能量能力,提高了器件在異常條件下的耐受性。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
此款MOSFET適合多種電力電子應(yīng)用,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流器。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開關(guān)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級元件。
4. 負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路中的關(guān)鍵組件。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)。
GA0805Y393KBBBR21G
IRFZ44N
FDP5500
STP14NM60
AON7711