GA0805Y393MXJBC31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,適合需要高效能和小封裝的應(yīng)用場(chǎng)景。
其主要特點(diǎn)是能夠承受較高的電壓和電流,并保持較低的功耗,從而提高系統(tǒng)的整體效率。同時(shí),該型號(hào)的 MOSFET 具有出色的可靠性和穩(wěn)定性,能夠在嚴(yán)苛的工作條件下長時(shí)間運(yùn)行。
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vdss):30V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):100A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.2mΩ
總柵極電荷(Qg):45nC
輸入電容(Ciss):3300pF
輸出電容(Coss):120pF
工作溫度范圍(Ta):-55℃ to +175℃
封裝形式:TO-247-3
GA0805Y393MXJBC31G 提供了多種優(yōu)異的性能特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),能夠顯著降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 高額定電流能力 (100A),可支持大功率應(yīng)用。
3. 快速開關(guān)特性,得益于較小的總柵極電荷 Qg 和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
4. 工作溫度范圍寬廣 (-55℃ 到 +175℃),適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。
5. 采用了堅(jiān)固耐用的設(shè)計(jì)理念,確保長期使用的可靠性。
6. 封裝形式為 TO-247-3,便于散熱和安裝,滿足工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求。
該 MOSFET 器件適用于廣泛的電子領(lǐng)域,包括但不限于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中作為主開關(guān)或同步整流元件。
2. DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率控制元件。
4. 大功率負(fù)載的開關(guān)控制。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率模塊。
6. 新能源汽車中的電池管理系統(tǒng) (BMS) 和逆變器。
7. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關(guān)設(shè)備。
GA0805Y391MXJBC31G, GA0805Y392MXJBC31G, IRFP2907ZPbF