時間：2025/5/12 9:22:56
閱讀：20
GA0805Y561MBJBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。該器件采用先進的溝槽式技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點，適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、AC-DC 適配器、電機驅(qū)動以及各類電源管理系統(tǒng)中。
此型號中的具體參數(shù)和特性可能根據(jù)制造商的不同而有所差異，因此在實際應(yīng)用中需要參考詳細的數(shù)據(jù)手冊。
類型：N溝道 MOSFET
電壓等級：650V
連續(xù)漏極電流：42A
導(dǎo)通電阻：25mΩ
柵極電荷：95nC
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-247
GA0805Y561MBJBT31G 的主要特性包括以下幾點：
1. 高效的功率轉(zhuǎn)換能力，適用于多種電源管理場景。
2. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 確保在高電流應(yīng)用中有較低的功耗。
3. 快速開關(guān)性能，能夠有效減少開關(guān)損耗。
4. 強大的熱穩(wěn)定性，能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)可靠運行。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保。
6. 封裝堅固耐用，易于集成到各種電路板設(shè)計中。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 工業(yè)電機驅(qū)動和變頻控制。
3. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)。
4. 電動車充電設(shè)備。
5. 通信基站電源和其他高效電力電子系統(tǒng)。
GA0805Y561MBJBT32G, IRFP460, STP55NF06L
