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GA0805Y561MXBBC31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/23 5:41:22 查看 閱讀�16

GA0805Y561MXBBC31G 是一款由東芝(Toshiba)生產的MOSFET功率晶體�,主要應用于高效率開關電�、電機驅動和負載切換等領�。該器件采用TO-263-3L封裝形式,具有低導通電阻和快速開關性能的特點,適合在高頻條件下工作�

參數(shù)

型號:GA0805Y561MXBBC31G
  品牌:Toshiba
  類型:N溝道增強型MOSFET
  封裝:TO-263-3L
  Vds(漏源電壓)�60V
  Rds(on)(導通電阻)�4.5mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
  Id(連續(xù)漏極電流):76A
  Ptot(總耗散功率):118W(在Ta=25℃時�
  f(工作頻率范圍):高�1MHz
  Vgs(th)(閾值柵極電壓)�1.6V~3.0V
  Qg(柵極電荷)�47nC(最大值)

特�

GA0805Y561MXBBC31G是一款高性能的功率MOSFET,具有以下特點:
  1. 低導通電阻(Rds(on)�,可以有效減少傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開關速度,支持高頻應用,降低開關損��
  3. 高額定電流(Id)和低熱阻設計,有助于提升散熱性能�
  4. 緊湊的TO-263-3L封裝,節(jié)省PCB空間,同時提供良好的電氣連接�
  5. 支持寬范圍的工作電壓(Vds�,適用于多種功率轉換場景�
  6. 具有較高的抗雪崩能力,確保在異常情況下能夠穩(wěn)定運��
  這些特性使GA0805Y561MXBBC31G成為高效能功率轉換和控制的理想選��

應用

GA0805Y561MXBBC31G廣泛應用于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管�
  2. DC-DC轉換器中的功率開關元��
  3. 電機驅動電路中的功率級輸��
  4. 各種負載切換應用,如電池管理系統(tǒng)中的充放電保��
  5. 逆變器電路中的功率輸出級�
  6. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
  由于其優(yōu)異的性能,這款MOSFET特別適合需要高效率、高可靠性和高頻工作的應用場��

替代型號

GA0805Y561MXBBC31G

ga0805y561mxbbc31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容560 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-