GA0805Y561MXBBC31G 是一款由東芝(Toshiba)生產的MOSFET功率晶體�,主要應用于高效率開關電�、電機驅動和負載切換等領�。該器件采用TO-263-3L封裝形式,具有低導通電阻和快速開關性能的特點,適合在高頻條件下工作�
型號:GA0805Y561MXBBC31G
品牌:Toshiba
類型:N溝道增強型MOSFET
封裝:TO-263-3L
Vds(漏源電壓)�60V
Rds(on)(導通電阻)�4.5mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
Id(連續(xù)漏極電流):76A
Ptot(總耗散功率):118W(在Ta=25℃時�
f(工作頻率范圍):高�1MHz
Vgs(th)(閾值柵極電壓)�1.6V~3.0V
Qg(柵極電荷)�47nC(最大值)
GA0805Y561MXBBC31G是一款高性能的功率MOSFET,具有以下特點:
1. 低導通電阻(Rds(on)�,可以有效減少傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開關速度,支持高頻應用,降低開關損��
3. 高額定電流(Id)和低熱阻設計,有助于提升散熱性能�
4. 緊湊的TO-263-3L封裝,節(jié)省PCB空間,同時提供良好的電氣連接�
5. 支持寬范圍的工作電壓(Vds�,適用于多種功率轉換場景�
6. 具有較高的抗雪崩能力,確保在異常情況下能夠穩(wěn)定運��
這些特性使GA0805Y561MXBBC31G成為高效能功率轉換和控制的理想選��
GA0805Y561MXBBC31G廣泛應用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管�
2. DC-DC轉換器中的功率開關元��
3. 電機驅動電路中的功率級輸��
4. 各種負載切換應用,如電池管理系統(tǒng)中的充放電保��
5. 逆變器電路中的功率輸出級�
6. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
由于其優(yōu)異的性能,這款MOSFET特別適合需要高效率、高可靠性和高頻工作的應用場��
GA0805Y561MXBBC31G