GA0805Y563MBJBT31G 是一款由東芝(Toshiba)生�(chǎn)的溝槽型功率MOSFET。該器件采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的場景。其封裝形式為TO-252(DPAK),適合表面貼裝應(yīng)�,能夠滿足緊湊型�(shè)計需求�
這款MOSFET屬于N溝道增強型器�,通過柵極電壓控制漏極電流的導(dǎo)通與�(guān)�,適用于中等功率范圍�(nèi)的各種工�(yè)及消費類電子�(chǎn)��
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�14A
最大柵源電壓:±20V
�(dǎo)通電阻(典型�,Vgs=10V):2.9mΩ
總功耗:77W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
封裝類型:TO-252(DPAK)
柵極電荷(典型值)�39nC
GA0805Y563MBJBT31G 的主要特性包括:
1. 低導(dǎo)通電阻:在Vgs=10V�,導(dǎo)通電阻僅�2.9mΩ,可顯著降低�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高開�(guān)速度:得益于較低的柵極電�,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)切換,減少開�(guān)損��
3. 出色的熱性能:采用DPAK封裝,具有良好的散熱能力,支持高功率密度的應(yīng)��
4. 寬工作溫度范圍:能夠�-55℃至175℃的�(jié)溫范圍內(nèi)�(wěn)定工�,適�(yīng)惡劣�(huán)境條��
5. 靜電保護:內(nèi)置ESD防護機制,提高了器件的可靠性和耐用��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn):綠色環(huán)�,滿足國際環(huán)保法�(guī)要求�
GA0805Y563MBJBT31G 常用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):作為主功率開�(guān)�,提供高效的能量�(zhuǎn)��
2. 電機�(qū)動:用于無刷直流電機(BLDC)或步進電機的-DC�(zhuǎn)換器:在降壓或升壓電路中作為開關(guān)元件�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):用于電池充放電保護及均衡電路�
5. 汽車電子:如電動助力�(zhuǎn)向(EPS�、電動車窗等汽車�(yīng)用中的功率控制�
6. 工業(yè)自動化:例如伺服�(qū)動器、逆變器和其他工業(yè)�(shè)備的功率級組件�
GA0805Y563MBJBT21G
IRF7405
Si7860DP