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GA0805Y563MBJBT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/22 16:27:53 查看 閱讀�16

GA0805Y563MBJBT31G 是一款由東芝(Toshiba)生�(chǎn)的溝槽型功率MOSFET。該器件采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的場景。其封裝形式為TO-252(DPAK),適合表面貼裝應(yīng)�,能夠滿足緊湊型�(shè)計需求�
  這款MOSFET屬于N溝道增強型器�,通過柵極電壓控制漏極電流的導(dǎo)通與�(guān)�,適用于中等功率范圍�(nèi)的各種工�(yè)及消費類電子�(chǎn)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流�14A
  最大柵源電壓:±20V
  �(dǎo)通電阻(典型�,Vgs=10V):2.9mΩ
  總功耗:77W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
  封裝類型:TO-252(DPAK)
  柵極電荷(典型值)�39nC

特�

GA0805Y563MBJBT31G 的主要特性包括:
  1. 低導(dǎo)通電阻:在Vgs=10V�,導(dǎo)通電阻僅�2.9mΩ,可顯著降低�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高開�(guān)速度:得益于較低的柵極電�,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)切換,減少開�(guān)損��
  3. 出色的熱性能:采用DPAK封裝,具有良好的散熱能力,支持高功率密度的應(yīng)��
  4. 寬工作溫度范圍:能夠�-55℃至175℃的�(jié)溫范圍內(nèi)�(wěn)定工�,適�(yīng)惡劣�(huán)境條��
  5. 靜電保護:內(nèi)置ESD防護機制,提高了器件的可靠性和耐用��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn):綠色環(huán)�,滿足國際環(huán)保法�(guī)要求�

�(yīng)�

GA0805Y563MBJBT31G 常用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):作為主功率開�(guān)�,提供高效的能量�(zhuǎn)��
  2. 電機�(qū)動:用于無刷直流電機(BLDC)或步進電機的-DC�(zhuǎn)換器:在降壓或升壓電路中作為開關(guān)元件�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):用于電池充放電保護及均衡電路�
  5. 汽車電子:如電動助力�(zhuǎn)向(EPS�、電動車窗等汽車�(yīng)用中的功率控制�
  6. 工業(yè)自動化:例如伺服�(qū)動器、逆變器和其他工業(yè)�(shè)備的功率級組件�

替代型號

GA0805Y563MBJBT21G
  IRF7405
  Si7860DP

ga0805y563mbjbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.056 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-