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GA1206A100GBEBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/28 9:57:45 查看 閱讀�15

GA1206A100GBEBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬于溝槽型 MOSFET 系列。該芯片采用先進的制造工藝,具有低導通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于各種高頻開關(guān)�(yīng)��
  這款器件通常被用作功率轉(zhuǎn)換電路中的關(guān)鍵元�,例如開�(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器和其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的場景。其封裝形式和電氣特性經(jīng)過優(yōu)�,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對效率和可靠性的嚴格要求�

參數(shù)

型號:GA1206A100GBEBR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vdss)�100V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�40A
  導通電�(Rds(on))�4.5mΩ
  柵極電荷(Qg)�75nC
  總柵極電�(Qg_total)�95nC
  輸入電容(Ciss)�2850pF
  輸出電容(Coss)�1100pF
  反向傳輸電容(Crss)�170pF
  功�(PD)�210W
  工作溫度范圍(Topr)�-55� to +175�
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA1206A100GBEBR31G 具有以下顯著特點�
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,僅� 4.5mΩ,從而降低了傳導損耗并提升了整體效��
  2. 高速開�(guān)性能,得益于其較小的柵極電荷和快速的開關(guān)時間�
  3. 強大的散熱能�,能夠在較高的結(jié)溫下�(wěn)定運��
  4. 提供了較高的電流承載能力,最大連續(xù)漏極電流可達 40A�
  5. 工作溫度范圍寬廣,支持從 -55°C � +175°C 的環(huán)�,適用于嚴苛的工作條��
  6. 封裝堅固耐用,適合工�(yè)和汽車級�(yīng)��
  這些特性使� GA1206A100GBEBR31G 成為高效功率�(zhuǎn)換的理想選擇�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS),包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機�(qū)�,特別是用于高效節(jié)能的無刷直流電機(BLDC)�
  3. 太陽能逆變�,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流��
  4. 電動汽車(EV)和混合動力汽�(HEV)中的電力電子系統(tǒng)�
  5. 工業(yè)自動化控制和家電中的功率管理模塊�
  6. LED �(qū)動器和其他需要高效率和高可靠性功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場景�

替代型號

GA1206A100GBEBR31G-A, IRFZ44N, FDP55N10

ga1206a100gbebr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容10 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-