GA1206A100GBEBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬于溝槽型 MOSFET 系列。該芯片采用先進的制造工藝,具有低導通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于各種高頻開關(guān)�(yīng)��
這款器件通常被用作功率轉(zhuǎn)換電路中的關(guān)鍵元�,例如開�(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器和其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的場景。其封裝形式和電氣特性經(jīng)過優(yōu)�,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對效率和可靠性的嚴格要求�
型號:GA1206A100GBEBR31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�100V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�40A
導通電�(Rds(on))�4.5mΩ
柵極電荷(Qg)�75nC
總柵極電�(Qg_total)�95nC
輸入電容(Ciss)�2850pF
輸出電容(Coss)�1100pF
反向傳輸電容(Crss)�170pF
功�(PD)�210W
工作溫度范圍(Topr)�-55� to +175�
封裝形式:TO-247-3
GA1206A100GBEBR31G 具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,僅� 4.5mΩ,從而降低了傳導損耗并提升了整體效��
2. 高速開�(guān)性能,得益于其較小的柵極電荷和快速的開關(guān)時間�
3. 強大的散熱能�,能夠在較高的結(jié)溫下�(wěn)定運��
4. 提供了較高的電流承載能力,最大連續(xù)漏極電流可達 40A�
5. 工作溫度范圍寬廣,支持從 -55°C � +175°C 的環(huán)�,適用于嚴苛的工作條��
6. 封裝堅固耐用,適合工�(yè)和汽車級�(yīng)��
這些特性使� GA1206A100GBEBR31G 成為高效功率�(zhuǎn)換的理想選擇�
該芯片廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS),包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機�(qū)�,特別是用于高效節(jié)能的無刷直流電機(BLDC)�
3. 太陽能逆變�,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流��
4. 電動汽車(EV)和混合動力汽�(HEV)中的電力電子系統(tǒng)�
5. 工業(yè)自動化控制和家電中的功率管理模塊�
6. LED �(qū)動器和其他需要高效率和高可靠性功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場景�
GA1206A100GBEBR31G-A, IRFZ44N, FDP55N10