時間：2025/5/28 9:57:45
閱讀：15
GA1206A100GBEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，屬于溝槽型 MOSFET 系列。該芯片采用先進的制造工藝，具有低導通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能，適用于各種高頻開關(guān)應(yīng)用。
這款器件通常被用作功率轉(zhuǎn)換電路中的關(guān)鍵元件，例如開關(guān)電源、電機驅(qū)動、逆變器和其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的場景。其封裝形式和電氣特性經(jīng)過優(yōu)化，能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對效率和可靠性的嚴格要求。
型號：GA1206A100GBEBR31G
類型：N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vdss)：100V
最大連續(xù)漏極電流(Id)：40A
導通電阻(Rds(on))：4.5mΩ
柵極電荷(Qg)：75nC
總柵極電荷(Qg_total)：95nC
輸入電容(Ciss)：2850pF
輸出電容(Coss)：1100pF
反向傳輸電容(Crss)：170pF
功耗(PD)：210W
工作溫度范圍(Topr)：-55℃ to +175℃
封裝形式：TO-247-3
GA1206A100GBEBR31G 具有以下顯著特點：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)），僅為 4.5mΩ，從而降低了傳導損耗并提升了整體效率。
2. 高速開關(guān)性能，得益于其較小的柵極電荷和快速的開關(guān)時間。
3. 強大的散熱能力，能夠在較高的結(jié)溫下穩(wěn)定運行。
4. 提供了較高的電流承載能力，最大連續(xù)漏極電流可達 40A。
5. 工作溫度范圍寬廣，支持從 -55°C 到 +175°C 的環(huán)境，適用于嚴苛的工作條件。
6. 封裝堅固耐用，適合工業(yè)和汽車級應(yīng)用。
這些特性使得 GA1206A100GBEBR31G 成為高效功率轉(zhuǎn)換的理想選擇。
該芯片廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 電機驅(qū)動，特別是用于高效節(jié)能的無刷直流電機(BLDC)。
3. 太陽能逆變器，用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。
4. 電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)中的電力電子系統(tǒng)。
5. 工業(yè)自動化控制和家電中的功率管理模塊。
6. LED 驅(qū)動器和其他需要高效率和高可靠性功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。
GA1206A100GBEBR31G-A, IRFZ44N, FDP55N10
