GA1206A101FXLBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
型號(hào):GA1206A101FXLBR31G
類(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝形式:TO-252 (DPAK)
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):14A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):8.5mΩ(典型值,在Vgs=10V時(shí))
總功耗(Ptot):17W
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
GA1206A101FXLBR31G 具有以下關(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),能夠在高電流應(yīng)用中顯著降低功耗。
2. 高速開(kāi)關(guān)性能,支持高頻應(yīng)用,適合現(xiàn)代高效的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)。
3. 較寬的工作溫度范圍,適應(yīng)各種嚴(yán)苛環(huán)境下的使用需求。
4. 提供優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,確保長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的可靠性。
5. 小型化的封裝形式,節(jié)省PCB空間,便于緊湊型設(shè)計(jì)。
6. 內(nèi)置靜電防護(hù)(ESD Protection),提高了產(chǎn)品的抗干擾能力。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下場(chǎng)景:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC/DC轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)器件。
3. 各類(lèi)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
4. 汽車(chē)電子系統(tǒng)的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)電路。
7. LED驅(qū)動(dòng)電源以及其他需要高效功率管理的場(chǎng)合。
IRFZ44N, FDP159N60L, STP14NF06L