GA1206A102FBBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
其封裝形式為TO-220,具備良好的散熱性能,適合在高電流和高電壓環(huán)境下使用。此�,該器件支持快速開(kāi)�(guān)操作,能夠顯著減少開(kāi)�(guān)損��
型號(hào):GA1206A102FBBBR31G
類型:N溝道功率MOSFET
Vds(漏源極電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�3.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):100A
Vgs(th)(閾值電壓)�2.5V
Qg(柵極電荷)�45nC
fsw(開(kāi)�(guān)頻率):100kHz
封裝:TO-220
工作溫度范圍�-55℃至+150�
GA1206A102FBBBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(3.5mΩ�,可顯著降低傳導(dǎo)損��
2. 高額定電流能力(100A�,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)��
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,有助于提高效率并減少電磁干��
4. 良好的熱性能,能夠在高結(jié)溫下�(wěn)定運(yùn)��
5. 支持寬范圍的工作溫度,適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
6. 具備ESD保護(hù)功能,提高了器件的可靠��
該功率MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
6. 汽車電子系統(tǒng)
7. 太陽(yáng)能逆變�
8. 各類需要高效功率管理的電子�(shè)�
GA1206A101FBBBR31G, IRF3205, FDP5500