GA1206A102FBCBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等高效率電力�(zhuǎn)換場(chǎng)景。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率與可靠��
該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET,支持高頻工作環(huán)�,適用于工業(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)電子�(shè)備中的多種功率管理應(yīng)用�
類型:N-Channel MOSFET
漏源極電�(Vds)�100V
連續(xù)漏極電流(Id)�40A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�5.5mΩ
柵極電荷(Qg)�95nC
總功�(Ptot)�370W
工作溫度范圍(Topr)�-55� to +175�
封裝形式:TO-247
GA1206A102FBCBT31G 的核心優(yōu)�(shì)在于其卓越的電氣特性和熱穩(wěn)定�。它具備以下特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,僅為5.5mΩ,可顯著降低功率損耗�
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景,減少�(kāi)�(guān)損��
3. 高額定電流(40A)和耐壓能力�100V),使其在高壓大電流條件下表�(xiàn)�(yōu)��
4. 柵極電荷較低�95nC),有助于提高驅(qū)�(dòng)效率并降低驅(qū)�(dòng)電路�(fù)雜度�
5. 工作溫度范圍寬廣,支持從-55℃到+175℃的極端�(huán)�,確保可靠運(yùn)��
6. 封裝為標(biāo)�(zhǔn)的TO-247,便于散熱設(shè)�(jì)和安�,同�(shí)提供良好的機(jī)械強(qiáng)度�
這款功率MOSFET廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)和適配器�(shè)�(jì),用以實(shí)�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中作為主�(kāi)�(guān)管或同步整流管�
3. 電動(dòng)工具、家用電器及工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
4. 新能源汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS 光伏逆變器和其他需要高效率、高可靠性的電力電子系統(tǒng)�
IRF840, STP10NK60Z, FQP17N10