GA1206A120GBABR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,專為高效率開關(guān)�(yīng)用而設(shè)�。該器件采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和出色的熱性能,適用于各種電力電子�(yīng)�。其封裝形式� TO-220,便于散熱管理和電路布局�
該型號屬于增強型 N 沱道 MOSFET,主要應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和負載切換等領(lǐng)域�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻:120mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)時間:典型� 75ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
GA1206A120GBABR31G 的關(guān)鍵特性包括:
1. 高擊穿電壓:支持高達 650V 的漏源電�,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運��
2. 低導(dǎo)通電阻:僅為 120mΩ(典型值),可顯著降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)能力:具備較低的柵極電荷和優(yōu)化的開關(guān)時間,減少開�(guān)損��
4. 良好的熱性能:采� TO-220 封裝,能夠有效散�(fā)熱量,適合高功率密度�(yīng)用�
5. 寬溫度范圍:可在 -55� � +150� 的結(jié)溫范圍內(nèi)可靠工作,適�(yīng)惡劣�(huán)境條��
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS):用于高� DC-DC � AC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機�(qū)動:實現(xiàn)對直流或步進電機的精確控制�
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS):用作負載開�(guān)以保護電池免受過流或短路影響�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備:如固�(tài)繼電器和電磁閥驅(qū)動�
5. 汽車電子:包括車載充電器、LED 照明�(qū)動等�
IRF840,
STP12NM65,
FQP13N60,
IXFN120N65T,
AO3400