GA1206A120GXEBC31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,適用于各種高效率功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)�(yīng)用。該器件采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度以及出色的熱性能,使其非常適合用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開�(guān)等場��
此型號為 N 溝道增強� MOSFET,通過�(yōu)化柵極電荷和�(dǎo)通電阻之間的平衡,可實現(xiàn)高效的功率傳輸和較低的能��
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓VDS�120V
最大柵源電壓VGS:�20V
最大連續(xù)漏極電流ID�65A
最大脈沖漏極電流IDpeak�180A
�(dǎo)通電阻RDS(on)�9.5mΩ(在VGS=10V時)
柵極電荷Qg�45nC
輸入電容Ciss�1700pF
輸出電容Coss�105pF
反向恢復(fù)時間trr�75ns
�(jié)溫范圍Tj�-55℃至+175�
1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),有效降低傳�(dǎo)損耗�
2. 高效率開�(guān)性能,得益于�(yōu)化的柵極電荷�(shè)��
3. 出色的熱�(wěn)定�,適合高溫工作環(huán)境�
4. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損��
5. 強大的電流處理能�,滿足大功率�(yīng)用場景的需��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
7. 提供多種封裝選擇以適�(yīng)不同的安裝需��
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � AC-DC �(zhuǎn)換器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
3. 電機�(qū)動和逆變��
4. 負載開關(guān)和保護電路�
5. 充電器和適配器設(shè)��
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
7. 高效能源管理系統(tǒng)中的�(guān)鍵組件�
GA1206A120GXEBC30G, GA1206A120GXEBC32G