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GA1206A121GBABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/16 17:04:27 查看 閱讀�17

GA1206A121GBABR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,適用于高頻和高功率�(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的封裝工藝,能夠提供卓越的開�(guān)性能和效�,主要應(yīng)用于電源�(zhuǎn)換、射頻放大器以及高速數(shù)�(jù)傳輸?shù)阮I(lǐng)��
  其設(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dǎo)通電阻和開關(guān)速度之間的平衡,從而在高頻工作條件下表�(xiàn)出色。同�(shí),該型號(hào)具有高擊穿電壓和良好的熱�(wěn)定性,使其成為工業(yè)和通信�(lǐng)域中高性能�(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
  最大漏源電壓:600 V
  最大連續(xù)漏極電流�12 A
  �(dǎo)通電阻:12 mΩ
  柵極電荷�95 nC
  開關(guān)頻率:最高可�(dá) 5 MHz
  �(jié)溫范圍:-55°CTO-247-4

特�

GA1206A121GBABR31G 的主要特性包括:
  1. 高效的開�(guān)性能,能夠在高頻條件下維持低損耗�
  2. 極低的導(dǎo)通電�,有助于提高整體系統(tǒng)效率�
  3. 良好的熱管理能力,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  4. 快速的開關(guān)速度,減少死區(qū)�(shí)間和能量損��
  5. �(nèi)置保�(hù)功能,例如過流保�(hù)和短路保�(hù),提升可靠��
  6. 兼容�(biāo)�(zhǔn)�(qū)�(dòng)電路,便于集成到�(xiàn)有系�(tǒng)��
  這些特性使得該芯片非常適合用于高功率密度的�(shè)�(jì)�(chǎng)�,如�(shù)�(jù)中心電源、電�(dòng)汽車充電站和工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 無線充電�(shè)�
  4. 射頻功率放大�
  5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
  6. 新能源汽車中的車載充電器
  7. 高頻逆變�
  8. �(shù)�(jù)中心高效電源模塊
  由于其出色的高頻特性和功率處理能力,該芯片在需要快速動(dòng)�(tài)響應(yīng)和高效率的場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為突出�

替代型號(hào)

GA1206A121GBABR28G
  GA1206A121GBABR32G
  IRG4PC30KD
  FDP18N60E

ga1206a121gbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容120 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-