GA1206A121GBABR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,適用于高頻和高功率�(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的封裝工藝,能夠提供卓越的開�(guān)性能和效�,主要應(yīng)用于電源�(zhuǎn)換、射頻放大器以及高速數(shù)�(jù)傳輸?shù)阮I(lǐng)��
其設(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dǎo)通電阻和開關(guān)速度之間的平衡,從而在高頻工作條件下表�(xiàn)出色。同�(shí),該型號(hào)具有高擊穿電壓和良好的熱�(wěn)定性,使其成為工業(yè)和通信�(lǐng)域中高性能�(yīng)用的理想選擇�
類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
最大漏源電壓:600 V
最大連續(xù)漏極電流�12 A
�(dǎo)通電阻:12 mΩ
柵極電荷�95 nC
開關(guān)頻率:最高可�(dá) 5 MHz
�(jié)溫范圍:-55°CTO-247-4
GA1206A121GBABR31G 的主要特性包括:
1. 高效的開�(guān)性能,能夠在高頻條件下維持低損耗�
2. 極低的導(dǎo)通電�,有助于提高整體系統(tǒng)效率�
3. 良好的熱管理能力,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
4. 快速的開關(guān)速度,減少死區(qū)�(shí)間和能量損��
5. �(nèi)置保�(hù)功能,例如過流保�(hù)和短路保�(hù),提升可靠��
6. 兼容�(biāo)�(zhǔn)�(qū)�(dòng)電路,便于集成到�(xiàn)有系�(tǒng)��
這些特性使得該芯片非常適合用于高功率密度的�(shè)�(jì)�(chǎng)�,如�(shù)�(jù)中心電源、電�(dòng)汽車充電站和工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 無線充電�(shè)�
4. 射頻功率放大�
5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
6. 新能源汽車中的車載充電器
7. 高頻逆變�
8. �(shù)�(jù)中心高效電源模塊
由于其出色的高頻特性和功率處理能力,該芯片在需要快速動(dòng)�(tài)響應(yīng)和高效率的場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為突出�
GA1206A121GBABR28G
GA1206A121GBABR32G
IRG4PC30KD
FDP18N60E