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GA1206A121GBABR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/16 17:04:27 查看 閱讀:17

GA1206A121GBABR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),適用于高頻和高功率應(yīng)用場(chǎng)景。該器件采用了先進(jìn)的封裝工藝,能夠提供卓越的開關(guān)性能和效率,主要應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、射頻放大器以及高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)阮I(lǐng)域。
  其設(shè)計(jì)優(yōu)化了導(dǎo)通電阻和開關(guān)速度之間的平衡,從而在高頻工作條件下表現(xiàn)出色。同時(shí),該型號(hào)具有高擊穿電壓和良好的熱穩(wěn)定性,使其成為工業(yè)和通信領(lǐng)域中高性能應(yīng)用的理想選擇。

參數(shù)

類型:增強(qiáng)型 GaN HEMT
  最大漏源電壓:600 V
  最大連續(xù)漏極電流:12 A
  導(dǎo)通電阻:12 mΩ
  柵極電荷:95 nC
  開關(guān)頻率:最高可達(dá) 5 MHz
  結(jié)溫范圍:-55°CTO-247-4

特性

GA1206A121GBABR31G 的主要特性包括:
  1. 高效的開關(guān)性能,能夠在高頻條件下維持低損耗。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于提高整體系統(tǒng)效率。
  3. 良好的熱管理能力,確保在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
  4. 快速的開關(guān)速度,減少死區(qū)時(shí)間和能量損耗。
  5. 內(nèi)置保護(hù)功能,例如過流保護(hù)和短路保護(hù),提升可靠性。
  6. 兼容標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電路,便于集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。
  這些特性使得該芯片非常適合用于高功率密度的設(shè)計(jì)場(chǎng)景,如數(shù)據(jù)中心電源、電動(dòng)汽車充電站和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  3. 無線充電設(shè)備
  4. 射頻功率放大器
  5. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
  6. 新能源汽車中的車載充電器
  7. 高頻逆變器
  8. 數(shù)據(jù)中心高效電源模塊
  由于其出色的高頻特性和功率處理能力,該芯片在需要快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)和高效率的場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為突出。

替代型號(hào)

GA1206A121GBABR28G
  GA1206A121GBABR32G
  IRG4PC30KD
  FDP18N60E

ga1206a121gbabr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容120 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-