GA1206A121GXLBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻、高效率和出色的熱性能。其封裝形式� TO-252,適合表面貼裝工�,能夠滿足緊湊型�(shè)�(jì)的需求�
該器件的主要特點(diǎn)是其卓越的電氣特性和可靠�,能夠在高頻開關(guān)�(yīng)用中提供�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
型號(hào):GA1206A121GXLBR31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(VDS)�60V
最大柵源電�(VGS):�20V
連續(xù)漏極電流(ID)�12A
�(dǎo)通電�(RDS(on))�1.2mΩ
總功�(PD)�78W
工作溫度范圍(TA)�-55°C � +150°C
封裝形式:TO-252
GA1206A121GXLBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)�,可以有效降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,具備低輸入電容和快速開�(guān)�(shí)間,非常適合高頻�(yīng)��
3. 出色的熱�(wěn)定性,通過�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)�(shí)�(xiàn)高效的散熱性能�
4. �(qiáng)大的抗雪崩能�,確保在異常條件下仍能可靠運(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
6. 小型化的封裝�(shè)�(jì),節(jié)省電路板空間,便于高密度�(shè)�(jì)�
GA1206A121GXLBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率輸出級(jí)�
3. 汽車電子�(shè)備中的負(fù)載切換控��
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的繼電器替代方案�
5. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)和均衡功��
6. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流元��
GA1206A121GXLBR32G, IRFZ44N, FDP15N60C