GA1206A121JBCBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專(zhuān)為高效率、低功耗應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適用于多種電源管理�(chǎng)景,如DC-DC�(zhuǎn)換器、開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)�。此�,該芯片具備出色的熱性能和可靠�,能夠滿(mǎn)足嚴(yán)苛的工作�(huán)境需��
該型�(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET系列,其封裝形式和電氣參�(shù)�(jīng)�(guò)�(yōu)�,旨在提供卓越的功率密度和系�(tǒng)性能�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.5mΩ
柵極電荷�70nC
�(kāi)�(guān)速度:超�
工作溫度范圍�-55℃至150�
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效的功率傳�,降低了傳導(dǎo)損耗�
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度減少了開(kāi)�(guān)損�,提升了系統(tǒng)的整體效率�
3. �(nèi)置的ESD保護(hù)電路增強(qiáng)了器件的抗靜電能��
4. 高雪崩能量能力提高了器件在異常條件下的魯棒��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì)節(jié)省了PCB空間,便于布局和散熱管理�
6. 寬工作溫度范圍適�(yīng)多種惡劣�(huán)境的�(yīng)用需��
該芯片廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制和汽�(chē)電子�(lǐng)�,包括但不限于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
4. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)
5. 汽車(chē)電子中的�(fù)載切換和逆變�
6. 光伏逆變器和其他可再生能源設(shè)�
GA1206A121JBCBT32G, IRFZ44N, FDP18N06L