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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A121KBEBR31G

GA1206A121KBEBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 12:10:28 查看 閱讀�8

GA1206A121KBEBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高電流處理能力和快速開�(guān)速度的特�(diǎn)。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,適合自�(dòng)化生�(chǎn)流程�

參數(shù)

型號(hào):GA1206A121KBEBR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵極驅(qū)�(dòng)電壓(Vgs):�20V
  持續(xù)漏極電流(Id)�120A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ
  總功�(Ptot)�240W
  工作溫度范圍(Ta)�-55°C to +175°C
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA1206A121KBEBR31G具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠有效減少功率損��
  2. 高電流承載能�,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 快速開�(guān)性能,有助于提高系統(tǒng)效率并降低電磁干�(EMI)�
  4. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的可靠性�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  6. �(yōu)化的熱設(shè)�(jì),提升了散熱性能�

�(yīng)�

這款MOSFET廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)域,包括但不限于以下�(chǎng)景:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
  3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 新能源領(lǐng)域如太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)車充電系�(tǒng)的功率管理模��

替代型號(hào)

IRFP2907ZPBF, STP120N06Z, FDP18N06L

ga1206a121kbebr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容120 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-