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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A122JBCBR31G

GA1206A122JBCBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 4:25:28 查看 閱讀�13

GA1206A122JBCBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬于溝道增�(qiáng)型器�。該芯片廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場(chǎng)景。其�(shè)�(jì)旨在提供高效�、低�(dǎo)通電阻以及快速開�(guān)性能,從而滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)節(jié)能和性能的需求�
  該型�(hào)中的部分�(biāo)�(shí)表明其封裝形�、電壓等�(jí)、電流能力以及特定的工作�(huán)境要�。例如,它可能采用表面貼裝技�(shù)(SMD)封�,適合自�(dòng)化生�(chǎn),并且具備良好的熱性能和電氣穩(wěn)定��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�120A
  �(dǎo)通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷�120nC
  開關(guān)速度�40ns
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:D2PAK

特�

GA1206A122JBCBR31G 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和高電流承載能�,這使其在大功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外,它的快速開�(guān)特性和低柵極電荷減少了開關(guān)損�,提高了整體效率�
  該器件還具有出色的熱�(wěn)定性和抗浪涌能�,能夠承受瞬�(shí)過流和過高結(jié)溫的情況。同�(shí),它采用了先�(jìn)的制造工�,確保了�(zhǎng)期可靠性和一致��
  由于其高可靠性設(shè)�(jì),這款 MOSFET 可以在極端環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�,適用于工業(yè)、汽車以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品領(lǐng)��

�(yīng)�

該芯片適用于多種功率�(zhuǎn)換和控制�(chǎng)�,包括但不限于以下應(yīng)用:
  - 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開�(guān)�
  - DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)
  - 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模�
  - 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)
  其高電流能力和快速開�(guān)特性使� GA1206A122JBCBR31G 成為需要高效功率傳輸和控制的理想選擇�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP120NF06L
  FDP120AN6

ga1206a122jbcbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-