GA1206A122KBBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、低損耗的�(yīng)用場景設(shè)�。該器件采用了先進的半導(dǎo)體制造工�,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著降低系�(tǒng)能耗并提升整體性能�
這款芯片通常用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等電力電子�(yīng)用領(lǐng)�。其卓越的熱特性和電氣性能使其成為眾多工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品的理想選擇�
類型:N溝道 MOSFET
電壓等級�1200V
連續(xù)漏極電流�6A
�(dǎo)通電阻:122mΩ
柵極電荷�35nC
開關(guān)速度:快�
封裝形式:TO-247
GA1206A122KBBBR31G的核心優(yōu)勢在于其低導(dǎo)通電阻和高耐壓能力。在1200V的工作電壓下,該芯片仍能保持較低的導(dǎo)通損�,從而提高了系統(tǒng)的整體效��
此外,其快速開�(guān)特性可以有效減少開�(guān)損�,并且內(nèi)置的保護機制(如過流保護和熱�(guān)斷)增強了芯片的可靠性和�(wěn)定��
該器件還具備�(yōu)異的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下長時間穩(wěn)定運�,適用于各種嚴苛的工作條��
這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于多個領(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 逆變�
4. 電機�(qū)�
5. 太陽能微逆變�
6. 電動車充電設(shè)�
其高電壓和大電流處理能力使其非常適合需要高效能量轉(zhuǎn)換的場景�
GA1206A122KBBBR32G
IRFP460
FDP18N120
STW85N12
CSS9802G