最大漏源電壓：650V
　　連續(xù)漏極電流：150A
　　導(dǎo)通電阻：4mΩ
　　柵極電荷：80nC
　　開關(guān)頻率：高達(dá)5MHz
　　結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃

1. 采用增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN）技術(shù)，具有更高的效率和功率密度。
　　2. 極低的導(dǎo)通電阻，減少傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　3. 快速開關(guān)能力，支持高頻應(yīng)用，降低磁性元件體積。
　　4. 高可靠性和穩(wěn)定性，能夠適應(yīng)嚴(yán)苛的工作環(huán)境。
　　5. 內(nèi)置保護(hù)功能，如過流保護(hù)和短路保護(hù)，提升整體安全性。
　　6. 小型化的封裝設(shè)計(jì)，便于集成到緊湊型設(shè)備中。

1. 開關(guān)模式電源（SMPS），包括AC-DC適配器和充電器。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器，適用于服務(wù)器、通信設(shè)備及工業(yè)電源。
　　3. 太陽能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
　　4. 電動(dòng)車輛（EV）和混合動(dòng)力車輛（HEV）中的車載充電器（OBC）。
　　5. 無線充電系統(tǒng)和其他高頻能量傳輸應(yīng)用。
　　6. 激光雷達(dá)（LiDAR）驅(qū)動(dòng)器和其他高速脈沖生成電路。

GAN063-650WSA, IRG4PH48UD, FDP15AH65AE