GA1206A150GBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,屬于溝道增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�。該元器件廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。其主要功能是在電路中起到開(kāi)�(guān)或放大作用,具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)�
該型�(hào)以出色的耐壓特性和較低的導(dǎo)通損耗著�(chēng),適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)景�
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�6A
�(dǎo)通電阻:150mΩ
柵極電荷�28nC
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1206A150GBABR31G 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和高擊穿電壓的�(jié)�,這使其非常適合于高頻�(yīng)�。其溝道�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)減少了導(dǎo)通時(shí)的能量損耗,并且能夠承受較高的瞬�(tài)電壓。此�,它還具有快速開(kāi)�(guān)速度和低柵極電荷,這有助于提高系統(tǒng)的整體效��
該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),確保了良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定�。其典型�(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于:消費(fèi)�(lèi)電子�(shè)備中的適配器、工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理以及汽�(chē)電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換等�
值得注意的是,該芯片在高溫環(huán)境下依然能保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn),因此對(duì)于那些對(duì)�(huán)境適�(yīng)性要求較高的�(chǎng)合,這是一�(gè)非常理想的選擇�
該型�(hào)適合用于各種電力電子�(shè)備中,如�(kāi)�(guān)電源、LED�(qū)�(dòng)�、電�(dòng)工具、家電控制器�。同�(shí),它也常被用作電池保�(hù)電路中的�(guān)鍵元�,確保電路的安全�(yùn)行�
在電�(dòng)汽車(chē)�(lǐng)�,這款功率MOSFET可用于電池管理系�(tǒng)(BMS)中,幫助實(shí)�(xiàn)精確的電流控制和�(jiān)�(cè)。此�,在光伏逆變器中,該器件可以用來(lái)�(yōu)化能量轉(zhuǎn)換效�,減少熱損��
GA1206A150GBABR32G, IRFZ44N, FDP5800