GA1206A150KBABT31G是一款高性能的功率MOSFET器件,屬于N溝道增強型場效應晶體管。該芯片主要用于開關電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負載開關等應用領�。其設計特點在于能夠提供較低的導通電阻和較高的電流處理能�,從而提高效率并降低功��
該器件采用先進的半導體制造工�,具備出色的熱性能和電氣特性。其封裝形式為TO-263(D2PAK�,具有良好的散熱能力和機械穩(wěn)定性,適合多種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�150A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�75nC
輸入電容�2850pF
反向傳輸電容�450pF
工作結溫范圍�-55℃至+175�
GA1206A150KBABT31G的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),有效減少傳導損��
2. 高額定電流能�,支持大功率應用�
3. 快速開關速度,降低開關損��
4. 較低的柵極電荷和輸出電容,優(yōu)化動�(tài)性能�
5. 具備短路保護功能,增強系�(tǒng)可靠��
6. 良好的熱�(wěn)定性和耐用�,適應惡劣的工作�(huán)��
7. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設計�
這款器件在高溫環(huán)境下依然能保持穩(wěn)定的性能,適用于高功率密度的應用場景�
GA1206A150KBABT31G廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元��
3. 電動汽車及混合動力汽車中的電機驅(qū)動電路�
4. 工業(yè)自動化設備中的負載開關和保護電路�
5. 大功率LED�(qū)動器和逆變��
6. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)中的功率級元��
其高電流能力和低導通電阻使其成為需要高效功率轉(zhuǎn)換的系統(tǒng)的理想選擇�
IRFP2907ZPBF,
STP150N06LL,
FDP157N06AE,
IXFN150N06T2