GA1206A151GXLBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能,能夠在高頻工作條件下保持高效和穩(wěn)定的表現(xiàn)。
該器件為 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,其設(shè)計(jì)旨在滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)效率和可靠性的嚴(yán)格要求。通過(guò)優(yōu)化的封裝形式,GA1206A151GXLBR31G 可以有效降低寄生電感和電容的影響,從而提高整體系統(tǒng)性能。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:15A
導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷:35nC
開(kāi)關(guān)時(shí)間:開(kāi)啟時(shí)間 15ns,關(guān)斷時(shí)間 25ns
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-247
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 確保了在高電流應(yīng)用中的高效能量轉(zhuǎn)換。
2. 高速開(kāi)關(guān)性能使得該器件適用于高頻開(kāi)關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
3. 出色的熱穩(wěn)定性允許器件在極端溫度環(huán)境下運(yùn)行。
4. 內(nèi)置保護(hù)功能包括過(guò)流保護(hù)和熱關(guān)斷機(jī)制,增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性。
5. 小型化封裝降低了 PCB 占用面積,同時(shí)提高了散熱效率。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合多種工業(yè)應(yīng)用。
1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器電路。
3. 工業(yè)控制和自動(dòng)化系統(tǒng)中的功率開(kāi)關(guān)。
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的大電流切換。
5. LED 驅(qū)動(dòng)和汽車(chē)電子系統(tǒng)。
6. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。