GA1206A151JBLBT31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�。該器件專為高頻和高效率�(yīng)用而設(shè)�(jì),適用于射頻功率放大�、雷�(dá)系統(tǒng)以及通信�(shè)備等�(lǐng)��
其采用了先�(jìn)的氮化鎵半導(dǎo)體材�,能夠在高頻條件下提供更高的輸出功率和更好的線性度,同�(shí)具備低熱阻特性以提高散熱性能�
型號(hào):GA1206A151JBLBT31G
類型:GaN HEMT
封裝:無引線陶瓷封裝
最大漏源電壓:100 V
最大柵源電壓:±8 V
輸出功率�40 W
頻率范圍:DC � 6 GHz
�(dǎo)通電阻:0.1 Ω
功耗:50 W
工作溫度范圍�-55 � � +125 �
GA1206A151JBLBT31G 具有出色的射頻性能,能夠支持高�(dá) 6 GHz 的頻率范�,適合多種寬帶和窄帶�(yīng)用。此�,該器件采用氮化鎵技�(shù),相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET 提供了更高的效率和更低的熱損��
由于其低寄生電感和電容的�(shè)�(jì),該器件在高頻工作時(shí)展現(xiàn)出卓越的�(wěn)定�,并且可以輕松集成到�(fù)雜的射頻電路�。其無引線陶瓷封裝形式�(jìn)一步優(yōu)化了熱管理和電氣連接性能,從而確保長期可靠��
該芯片還具有良好的抗輻射能力,因此特別適合于航空航天及軍事領(lǐng)域中的關(guān)鍵任�(wù)型應(yīng)�。另�,它支持較低的驅(qū)�(dòng)電壓需�,簡化了柵極�(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì),降低了系統(tǒng)�(fù)雜度�
該芯片廣泛應(yīng)用于無線基礎(chǔ)�(shè)�、點(diǎn)對點(diǎn)無線�、雷�(dá)系統(tǒng)以及測試與測量設(shè)備等場景�
在無線通信�(lǐng)�,GA1206A151JBLBT31G 可用于基站功率放大器,以�(shí)�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和�(wěn)定信�(hào)傳輸�
對于國防和航天行�(yè),這款 GaN 器件因其卓越的耐用性和可靠性而成為首選方�,可用于�(wèi)星通信、電子戰(zhàn)系統(tǒng)以及相控�?yán)走_(dá)等高要求�(huán)境中�
此外,它也常見于高性能微波�、醫(yī)療成像設(shè)備和其他需要高功率射頻輸出的應(yīng)用場合�
GA1207B201KCLBT31G