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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A151KBABR31G

GA1206A151KBABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 21:06:35 查看 閱讀�19

GA1206A151KBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
  這款芯片屬于溝道增強(qiáng)� MOSFET,其�(shè)�(jì)旨在�(mǎn)足高電流和高頻應(yīng)用的需求,同時(shí)提供出色的熱性能和電氣特��

參數(shù)

�(lèi)型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓:120V
  最大連續(xù)漏極電流�6A
  �(dǎo)通電阻:15mΩ
  柵極電荷�38nC
  �(kāi)�(guān)頻率:最高可�(dá) 1MHz
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA1206A151KBABR31G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型條件下僅為 15mΩ,有助于減少傳導(dǎo)損��
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高�(dá) 1MHz 的開(kāi)�(guān)頻率,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. �(nèi)� ESD 保護(hù)電路,增�(qiáng)抗靜電能力,提升系統(tǒng)�(wěn)定��
  4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),即使在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定運(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于全球市�(chǎng)�
  6. 緊湊� TO-252 封裝,節(jié)� PCB 空間并簡(jiǎn)化布局�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流器和主�(kāi)�(guān)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率級(jí)組件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí)�
  4. 各類(lèi)�(fù)載切換和保護(hù)電路�
  5. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率管理模塊�
  6. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的電源管理系統(tǒng)�

替代型號(hào)

GA1206A152KBABR31G, IRFZ44N, FDP150N10S

ga1206a151kbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容150 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-