GA1206A151KBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
這款芯片屬于溝道增強(qiáng)� MOSFET,其�(shè)�(jì)旨在�(mǎn)足高電流和高頻應(yīng)用的需求,同時(shí)提供出色的熱性能和電氣特��
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓:120V
最大連續(xù)漏極電流�6A
�(dǎo)通電阻:15mΩ
柵極電荷�38nC
�(kāi)�(guān)頻率:最高可�(dá) 1MHz
封裝形式:TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1206A151KBABR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型條件下僅為 15mΩ,有助于減少傳導(dǎo)損��
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高�(dá) 1MHz 的開(kāi)�(guān)頻率,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. �(nèi)� ESD 保護(hù)電路,增�(qiáng)抗靜電能力,提升系統(tǒng)�(wěn)定��
4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),即使在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定運(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于全球市�(chǎng)�
6. 緊湊� TO-252 封裝,節(jié)� PCB 空間并簡(jiǎn)化布局�(shè)�(jì)�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流器和主�(kāi)�(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率級(jí)組件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí)�
4. 各類(lèi)�(fù)載切換和保護(hù)電路�
5. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率管理模塊�
6. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的電源管理系統(tǒng)�
GA1206A152KBABR31G, IRFZ44N, FDP150N10S