GA1206A151KBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
這款芯片屬于溝道增強(qiáng)型 MOSFET,其設(shè)計(jì)旨在滿(mǎn)足高電流和高頻應(yīng)用的需求,同時(shí)提供出色的熱性能和電氣特性。
類(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓:120V
最大連續(xù)漏極電流:6A
導(dǎo)通電阻:15mΩ
柵極電荷:38nC
開(kāi)關(guān)頻率:最高可達(dá) 1MHz
封裝形式:TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
GA1206A151KBABR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型條件下僅為 15mΩ,有助于減少傳導(dǎo)損耗。
2. 高速開(kāi)關(guān)能力,支持高達(dá) 1MHz 的開(kāi)關(guān)頻率,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)電路,增強(qiáng)抗靜電能力,提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。
4. 優(yōu)化的熱性能設(shè)計(jì),即使在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適用于全球市場(chǎng)。
6. 緊湊的 TO-252 封裝,節(jié)省 PCB 空間并簡(jiǎn)化布局設(shè)計(jì)。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器和主開(kāi)關(guān)。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率級(jí)組件。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率輸出級(jí)。
4. 各類(lèi)負(fù)載切換和保護(hù)電路。
5. 工業(yè)控制設(shè)備中的功率管理模塊。
6. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的電源管理系統(tǒng)。
GA1206A152KBABR31G, IRFZ44N, FDP150N10S