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GA1206A151KBABR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/28 21:06:35 查看 閱讀:19

GA1206A151KBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
  這款芯片屬于溝道增強(qiáng)型 MOSFET,其設(shè)計(jì)旨在滿(mǎn)足高電流和高頻應(yīng)用的需求,同時(shí)提供出色的熱性能和電氣特性。

參數(shù)

類(lèi)型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓:120V
  最大連續(xù)漏極電流:6A
  導(dǎo)通電阻:15mΩ
  柵極電荷:38nC
  開(kāi)關(guān)頻率:最高可達(dá) 1MHz
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206A151KBABR31G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型條件下僅為 15mΩ,有助于減少傳導(dǎo)損耗。
  2. 高速開(kāi)關(guān)能力,支持高達(dá) 1MHz 的開(kāi)關(guān)頻率,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
  3. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)電路,增強(qiáng)抗靜電能力,提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。
  4. 優(yōu)化的熱性能設(shè)計(jì),即使在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適用于全球市場(chǎng)。
  6. 緊湊的 TO-252 封裝,節(jié)省 PCB 空間并簡(jiǎn)化布局設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器和主開(kāi)關(guān)。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率級(jí)組件。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率輸出級(jí)。
  4. 各類(lèi)負(fù)載切換和保護(hù)電路。
  5. 工業(yè)控制設(shè)備中的功率管理模塊。
  6. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的電源管理系統(tǒng)。

替代型號(hào)

GA1206A152KBABR31G, IRFZ44N, FDP150N10S

ga1206a151kbabr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容150 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-