GA1206A151KBEBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,屬于 GaN(氮化鎵)基材料制成的電子元器件。該芯片主要應(yīng)用于高頻、高效率的電源管理場(chǎng)景中,例如開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和逆變器等。由于其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并減少熱損耗。
相比傳統(tǒng)的硅基 MOSFET,GaN 器件具有更高的電子遷移率和更低的寄生電容,這使得 GA1206A151KBEBT31G 在高頻工作條件下表現(xiàn)尤為出色。
類型:功率MOSFET
材料:GaN(氮化鎵)
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流:15A
導(dǎo)通電阻:150mΩ
柵極電荷:25nC
開(kāi)關(guān)頻率:高達(dá)5MHz
封裝形式:TO-247
GA1206A151KBEBT31G 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓能力,支持高達(dá) 650V 的漏源電壓,適用于多種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
2. 極低的導(dǎo)通電阻,僅為 150mΩ,能夠降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。
3. 快速的開(kāi)關(guān)速度,得益于低柵極電荷設(shè)計(jì),支持高達(dá) 5MHz 的開(kāi)關(guān)頻率。
4. 出色的熱性能,結(jié)合高效的散熱設(shè)計(jì),可大幅減少熱量積累。
5. 更小的寄生電感和電容,從而減少了開(kāi)關(guān)過(guò)程中的振鈴和電磁干擾。
6. 可靠性高,適合長(zhǎng)時(shí)間在嚴(yán)苛環(huán)境下運(yùn)行,滿足工業(yè)級(jí)或汽車級(jí)應(yīng)用需求。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 太陽(yáng)能逆變器
4. 電動(dòng)車充電設(shè)備
5. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
6. 通信基站電源
7. 其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的電力電子系統(tǒng)
GAX1206B152KCGBT28G
GAN061-650WSA
TPG15065U