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GA1206A151KBEBT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/12 16:11:16 查看 閱讀:25

GA1206A151KBEBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,屬于 GaN(氮化鎵)基材料制成的電子元器件。該芯片主要應(yīng)用于高頻、高效率的電源管理場(chǎng)景中,例如開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和逆變器等。由于其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并減少熱損耗。
  相比傳統(tǒng)的硅基 MOSFET,GaN 器件具有更高的電子遷移率和更低的寄生電容,這使得 GA1206A151KBEBT31G 在高頻工作條件下表現(xiàn)尤為出色。

參數(shù)

類型:功率MOSFET
  材料:GaN(氮化鎵)
  最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流:15A
  導(dǎo)通電阻:150mΩ
  柵極電荷:25nC
  開(kāi)關(guān)頻率:高達(dá)5MHz
  封裝形式:TO-247

特性

GA1206A151KBEBT31G 的主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓能力,支持高達(dá) 650V 的漏源電壓,適用于多種高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻,僅為 150mΩ,能夠降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。
  3. 快速的開(kāi)關(guān)速度,得益于低柵極電荷設(shè)計(jì),支持高達(dá) 5MHz 的開(kāi)關(guān)頻率。
  4. 出色的熱性能,結(jié)合高效的散熱設(shè)計(jì),可大幅減少熱量積累。
  5. 更小的寄生電感和電容,從而減少了開(kāi)關(guān)過(guò)程中的振鈴和電磁干擾。
  6. 可靠性高,適合長(zhǎng)時(shí)間在嚴(yán)苛環(huán)境下運(yùn)行,滿足工業(yè)級(jí)或汽車級(jí)應(yīng)用需求。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  3. 太陽(yáng)能逆變器
  4. 電動(dòng)車充電設(shè)備
  5. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
  6. 通信基站電源
  7. 其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的電力電子系統(tǒng)

替代型號(hào)

GAX1206B152KCGBT28G
  GAN061-650WSA
  TPG15065U

ga1206a151kbebt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容150 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-