国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來(lái)到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A151KBEBT31G

GA1206A151KBEBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 16:11:16 查看 閱讀�25

GA1206A151KBEBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬� GaN(氮化鎵)基材料制成的電子元器件。該芯片主要�(yīng)用于高頻、高效率的電源管理場(chǎng)景中,例如開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變器等。由于其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并減少熱損耗�
  相比傳統(tǒng)的硅� MOSFET,GaN 器件具有更高的電子遷移率和更低的寄生電容,這使� GA1206A151KBEBT31G 在高頻工作條件下表現(xiàn)尤為出色�

參數(shù)

類型:功率MOSFET
  材料:GaN(氮化鎵�
  最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�15A
  �(dǎo)通電阻:150mΩ
  柵極電荷�25nC
  �(kāi)�(guān)頻率:高�(dá)5MHz
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206A151KBEBT31G 的主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓能�,支持高�(dá) 650V 的漏源電�,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)��
  2. 極低的導(dǎo)通電�,僅� 150mΩ,能夠降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率�
  3. 快速的�(kāi)�(guān)速度,得益于低柵極電荷設(shè)�(jì),支持高�(dá) 5MHz 的開(kāi)�(guān)頻率�
  4. 出色的熱性能,結(jié)合高效的散熱�(shè)�(jì),可大幅減少熱量積累�
  5. 更小的寄生電感和電容,從而減少了�(kāi)�(guān)�(guò)程中的振鈴和電磁干擾�
  6. 可靠性高,適合長(zhǎng)�(shí)間在�(yán)苛環(huán)境下�(yùn)�,滿足工�(yè)�(jí)或汽車級(jí)�(yīng)用需��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 太陽(yáng)能逆變�
  4. 電動(dòng)車充電設(shè)�
  5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
  6. 通信基站電源
  7. 其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的電力電子系統(tǒng)

替代型號(hào)

GAX1206B152KCGBT28G
  GAN061-650WSA
  TPG15065U

ga1206a151kbebt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容150 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-