GA1206A151KBEBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬� GaN(氮化鎵)基材料制成的電子元器件。該芯片主要�(yīng)用于高頻、高效率的電源管理場(chǎng)景中,例如開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變器等。由于其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并減少熱損耗�
相比傳統(tǒng)的硅� MOSFET,GaN 器件具有更高的電子遷移率和更低的寄生電容,這使� GA1206A151KBEBT31G 在高頻工作條件下表現(xiàn)尤為出色�
類型:功率MOSFET
材料:GaN(氮化鎵�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻:150mΩ
柵極電荷�25nC
�(kāi)�(guān)頻率:高�(dá)5MHz
封裝形式:TO-247
GA1206A151KBEBT31G 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓能�,支持高�(dá) 650V 的漏源電�,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)��
2. 極低的導(dǎo)通電�,僅� 150mΩ,能夠降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率�
3. 快速的�(kāi)�(guān)速度,得益于低柵極電荷設(shè)�(jì),支持高�(dá) 5MHz 的開(kāi)�(guān)頻率�
4. 出色的熱性能,結(jié)合高效的散熱�(shè)�(jì),可大幅減少熱量積累�
5. 更小的寄生電感和電容,從而減少了�(kāi)�(guān)�(guò)程中的振鈴和電磁干擾�
6. 可靠性高,適合長(zhǎng)�(shí)間在�(yán)苛環(huán)境下�(yùn)�,滿足工�(yè)�(jí)或汽車級(jí)�(yīng)用需��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 太陽(yáng)能逆變�
4. 電動(dòng)車充電設(shè)�
5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
6. 通信基站電源
7. 其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的電力電子系統(tǒng)
GAX1206B152KCGBT28G
GAN061-650WSA
TPG15065U