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時(shí)間：2025/5/28 21:07:23
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GA1206A152FXCBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景。該芯片采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能等特點(diǎn)，能夠滿(mǎn)足多種工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的應(yīng)用需求。
該型號(hào)屬于溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），支持高頻開(kāi)關(guān)操作，并且在設(shè)計(jì)上優(yōu)化了效率和可靠性。其封裝形式通常為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的小型表面貼裝類(lèi)型，便于大規(guī)模自動(dòng)化生產(chǎn)。
類(lèi)型：N-Channel MOSFET
最大漏源電壓Vds：60V
最大柵源電壓Vgs：±20V
連續(xù)漏極電流Id：15A
導(dǎo)通電阻Rds(on)：2.8mΩ
柵極電荷Qg：39nC
總電容Ciss：4270pF
開(kāi)關(guān)速度：快速開(kāi)關(guān)
工作溫度范圍：-55°C to +175°C
封裝形式：TO-263 (D2PAK)
GA1206A152FXCBR31G的主要特點(diǎn)是具備極低的導(dǎo)通電阻，僅為2.8毫歐，這使得它非常適合于需要高效能轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)合。同時(shí)，它的柵極電荷較小，能夠?qū)崿F(xiàn)快速開(kāi)關(guān)動(dòng)作，從而降低開(kāi)關(guān)損耗。
此外，該器件還具有強(qiáng)大的電流承載能力，連續(xù)漏極電流高達(dá)15安培，在高負(fù)載條件下依然保持穩(wěn)定性能。并且，它的工作溫度范圍非常寬廣，從低溫-55攝氏度到高溫+175攝氏度均能正常運(yùn)行，適應(yīng)各種極端環(huán)境需求。
為了提高系統(tǒng)的可靠性和耐用性，此MOSFET采用堅(jiān)固的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，可有效抵御靜電放電（ESD）和其他瞬態(tài)干擾的影響。
這款功率MOSFET適用于廣泛的電子設(shè)備中，包括但不限于以下領(lǐng)域：
1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
4. 負(fù)載切換模塊
5. 電池保護(hù)系統(tǒng)
6. 照明控制裝置
由于其優(yōu)秀的電氣特性和機(jī)械穩(wěn)定性，GA1206A152FXCBR31G成為眾多工程師在設(shè)計(jì)高效、緊湊型功率轉(zhuǎn)換解決方案時(shí)的理想選擇。
IRFZ44N
STP16NF06L
FDP150N06A
IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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