GA1206A152FXCBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)景。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能等特�(diǎn),能夠滿(mǎn)足多種工�(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的�(yīng)用需��
該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,支持高頻開(kāi)�(guān)操作,并且在�(shè)�(jì)上優(yōu)化了效率和可靠性。其封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型表面貼裝類(lèi)�,便于大�(guī)模自�(dòng)化生�(chǎn)�
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�15A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�2.8mΩ
柵極電荷Qg�39nC
總電容Ciss�4270pF
�(kāi)�(guān)速度:快速開(kāi)�(guān)
工作溫度范圍�-55°C to +175°C
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
GA1206A152FXCBR31G的主要特�(diǎn)是具備極低的�(dǎo)通電�,僅�2.8毫歐,這使得它非常適合于需要高效能�(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)�。同�(shí),它的柵極電荷較�,能�?qū)崿F(xiàn)快速開(kāi)�(guān)�(dòng)�,從而降低開(kāi)�(guān)損��
此外,該器件還具有強(qiáng)大的電流承載能力,連續(xù)漏極電流高達(dá)15安培,在高負(fù)載條件下依然保持�(wěn)定性能。并且,它的工作溫度范圍非常寬廣,從低溫-55攝氏度到高溫+175攝氏度均能正常運(yùn)�,適�(yīng)各種極端�(huán)境需��
為了提高系統(tǒng)的可靠性和耐用�,此MOSFET采用�(jiān)固的�(shè)�(jì)�(jié)�(gòu),可有效抵御靜電放電(ESD)和其他瞬態(tài)干擾的影��
這款功率MOSFET適用于廣泛的電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
4. �(fù)載切換模�
5. 電池保護(hù)系統(tǒng)
6. 照明控制裝置
由于其優(yōu)秀的電氣特性和�(jī)械穩(wěn)定�,GA1206A152FXCBR31G成為眾多工程師在�(shè)�(jì)高效、緊湊型功率�(zhuǎn)換解決方案時(shí)的理想選擇�
IRFZ44N
STP16NF06L
FDP150N06A