GA1206A152GBCBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率、高頻率的開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)動等場景。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率并降低功��
該器件為 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,其�(shè)計旨在滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和小型化的需�。其封裝形式和電氣性能使其成為眾多工業(yè)及消�(fèi)類應(yīng)用的理想選擇�
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�6.8A
�(dǎo)通電阻(典型值)�15mΩ
柵極電荷�43nC
輸入電容�1370pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝形式:TO-252
GA1206A152GBCBT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損�,提高整體系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場��
3. 高雪崩能量耐受能力,增�(qiáng)了器件在異常條件下的可靠��
4. 小型化封裝設(shè)�,節(jié)� PCB 空間�
5. �(yōu)異的熱性能表現(xiàn),確保在高溫�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛工藝制��
該功� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,包括降�、升壓和反激式拓?fù)�?br> 3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制�
4. 電池保護(hù)電路�
5. 各種工業(yè)控制及汽車電子系�(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)�
6. LED �(qū)動器中的功率管理單元�
IRFZ44N
FDP5800
STP60NF06L