GA1206A152KXBBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)�。該芯片具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠有效提升系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)� MOSFET 系列,采用先�(jìn)的制造工藝以確保其在各種�(yán)苛環(huán)境下的可靠運(yùn)�。其封裝形式� TO-247,適合高電流�(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:150V
最大連續(xù)漏極電流�80A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�90nC
功耗:240W
工作溫度范圍�-55� � 175�
GA1206A152KXBBT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
2. 高速開�(guān)能力,適用于高頻�(yīng)��
3. 出色的熱�(wěn)定性和耐用性,確保�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行的可靠��
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的抗靜電能��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�(shè)�(jì)�
6. 寬工作溫度范圍,適應(yīng)極端�(huán)境條��
該芯片適用于多種電力電子�(yīng)用領(lǐng)�,包括但不限于以下場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 直流電機(jī)�(qū)�(dòng)
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
4. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)
5. 太陽能逆變�
6. 電動(dòng)車充電系�(tǒng)
7. 大功� LED �(qū)�(dòng)電路
其強(qiáng)大的性能使其成為需要高效能量轉(zhuǎn)換和控制的理想選��
GA1206A152KXBBT31H, IRFP260N, FDP150AN15AE