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GA1206A181GBLBR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/16 16:59:20 查看 閱讀:21

GA1206A181GBLBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等場(chǎng)景。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,有助于提高系統(tǒng)效率并降低功耗。
  其封裝形式為表面貼裝類型,適合自動(dòng)化生產(chǎn)和緊湊型設(shè)計(jì)需求。通過優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),能夠?qū)崿F(xiàn)更高的工作頻率和更小的電磁干擾。

參數(shù)

型號(hào):GA12031G
  類型:N溝道功率MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  最大漏極電流(Id):18A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
  柵極電荷(Qg):25nC
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝:TO-Leadless

特性

GA1206A181GBLBR31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),可以有效減少傳導(dǎo)損耗,適用于高效率應(yīng)用。
  2. 快速開關(guān)性能,支持高頻工作環(huán)境,從而減小外部元件尺寸。
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒性。
  4. 支持寬范圍的工作溫度,適應(yīng)各種嚴(yán)苛環(huán)境。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
  6. 封裝設(shè)計(jì)緊湊,節(jié)省 PCB 空間,同時(shí)具備良好的散熱性能。

應(yīng)用

這款芯片主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中作為主開關(guān)或同步整流器使用。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中用于控制直流無刷電機(jī) (BLDC) 或步進(jìn)電機(jī)。
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和保護(hù)功能。
  4. 工業(yè)設(shè)備中的功率管理模塊。
  5. 通信電源和服務(wù)器電源解決方案。
  6. 各種便攜式設(shè)備的電池管理單元。

替代型號(hào)

IRF640N
  STP18NF06L
  FDP18N06

ga1206a181gblbr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容180 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-