GA1206A181GBLBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等場(chǎng)景。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,有助于提高系統(tǒng)效率并降低功耗。
其封裝形式為表面貼裝類型,適合自動(dòng)化生產(chǎn)和緊湊型設(shè)計(jì)需求。通過優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),能夠?qū)崿F(xiàn)更高的工作頻率和更小的電磁干擾。
型號(hào):GA12031G
類型:N溝道功率MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
最大漏極電流(Id):18A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
柵極電荷(Qg):25nC
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝:TO-Leadless
GA1206A181GBLBR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),可以有效減少傳導(dǎo)損耗,適用于高效率應(yīng)用。
2. 快速開關(guān)性能,支持高頻工作環(huán)境,從而減小外部元件尺寸。
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒性。
4. 支持寬范圍的工作溫度,適應(yīng)各種嚴(yán)苛環(huán)境。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
6. 封裝設(shè)計(jì)緊湊,節(jié)省 PCB 空間,同時(shí)具備良好的散熱性能。
這款芯片主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中作為主開關(guān)或同步整流器使用。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中用于控制直流無刷電機(jī) (BLDC) 或步進(jìn)電機(jī)。
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和保護(hù)功能。
4. 工業(yè)設(shè)備中的功率管理模塊。
5. 通信電源和服務(wù)器電源解決方案。
6. 各種便攜式設(shè)備的電池管理單元。
IRF640N
STP18NF06L
FDP18N06