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時(shí)間：2025/5/16 16:59:20
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GA1206A181GBLBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等場(chǎng)景。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，有助于提高系統(tǒng)效率并降低功耗。
其封裝形式為表面貼裝類型，適合自動(dòng)化生產(chǎn)和緊湊型設(shè)計(jì)需求。通過優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的工作頻率和更小的電磁干擾。
型號(hào)：GA12031G
類型：N溝道功率MOSFET
最大漏源電壓(Vds)：60V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
最大漏極電流(Id)：18A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：1.5mΩ
柵極電荷(Qg)：25nC
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝：TO-Leadless
GA1206A181GBLBR31G 具有以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，可以有效減少傳導(dǎo)損耗，適用于高效率應(yīng)用。
2. 快速開關(guān)性能，支持高頻工作環(huán)境，從而減小外部元件尺寸。
3. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒性。
4. 支持寬范圍的工作溫度，適應(yīng)各種嚴(yán)苛環(huán)境。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
6. 封裝設(shè)計(jì)緊湊，節(jié)省 PCB 空間，同時(shí)具備良好的散熱性能。
這款芯片主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中作為主開關(guān)或同步整流器使用。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中用于控制直流無刷電機(jī) (BLDC) 或步進(jìn)電機(jī)。
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和保護(hù)功能。
4. 工業(yè)設(shè)備中的功率管理模塊。
5. 通信電源和服務(wù)器電源解決方案。
6. 各種便攜式設(shè)備的電池管理單元。
IRF640N
STP18NF06L
FDP18N06
