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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > GA1206A181JBABT31G

GA1206A181JBABT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 16:13:26 查看 閱讀�22

GA1206A181JBABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開關電�、電機驅動和 DC-DC 轉換器等應用。該芯片采用了先進的溝槽� MOSFET 技術,具有低導通電阻和高開關速度的特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠性�
  該器件屬� N 溝道增強� MOSFET,適合于高頻應用場合,其封裝形式� TO-263(D2PAK�,具備良好的散熱性能和電氣特性�

參數

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�45A
  導通電阻(典型值)�2.5mΩ
  柵極電荷�75nC
  開關時間:開通延遲時� 25ns,關斷延遲時� 18ns
  工作結溫范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-263(D2PAK�

特�

1. 極低的導通電阻(Rds(on))確保了在高電流應用中的高效能量轉換�
  2. 高速開關能力使其適用于高頻功率轉換場景�
  3. 具有出色的熱�(wěn)定性和電氣�(wěn)定�,能夠在惡劣�(huán)境下長期運行�
  4. 內置 ESD 保護功能,增強了器件的魯棒性�
  5. 小巧的封裝尺寸和大電流承載能力使得設計更加緊湊靈��
  6. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保,滿足現代電子產品的環(huán)保要��

應用

1. 開關電源(SMPS)中的主功率開關管�
  2. 電動工具和家用電器中的電機驅動電��
  3. 各類 DC-DC 轉換器和升降壓模��
  4. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS��
  5. 工業(yè)自動化設備中的負載控制和功率管理�
  6. LED 驅動電源和其他需要高效功率轉換的應用場景�

替代型號

IRFZ44N, FDP5500, AO6602

ga1206a181jbabt31g參數

  • 現有數量0現貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容180 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-