GA1206A181JBABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開關電�、電機驅動和 DC-DC 轉換器等應用。該芯片采用了先進的溝槽� MOSFET 技術,具有低導通電阻和高開關速度的特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠性�
該器件屬� N 溝道增強� MOSFET,適合于高頻應用場合,其封裝形式� TO-263(D2PAK�,具備良好的散熱性能和電氣特性�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�45A
導通電阻(典型值)�2.5mΩ
柵極電荷�75nC
開關時間:開通延遲時� 25ns,關斷延遲時� 18ns
工作結溫范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-263(D2PAK�
1. 極低的導通電阻(Rds(on))確保了在高電流應用中的高效能量轉換�
2. 高速開關能力使其適用于高頻功率轉換場景�
3. 具有出色的熱�(wěn)定性和電氣�(wěn)定�,能夠在惡劣�(huán)境下長期運行�
4. 內置 ESD 保護功能,增強了器件的魯棒性�
5. 小巧的封裝尺寸和大電流承載能力使得設計更加緊湊靈��
6. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保,滿足現代電子產品的環(huán)保要��
1. 開關電源(SMPS)中的主功率開關管�
2. 電動工具和家用電器中的電機驅動電��
3. 各類 DC-DC 轉換器和升降壓模��
4. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS��
5. 工業(yè)自動化設備中的負載控制和功率管理�
6. LED 驅動電源和其他需要高效功率轉換的應用場景�
IRFZ44N, FDP5500, AO6602