GA1206A182KBBBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應用于電源管理、電機驅動以及各類開關電路中。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和高效率的特點,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)的整體性能。
其封裝形式為 TO-252 (DPAK),具備良好的散熱性能和緊湊的尺寸設計,適合在空間受限的應用場景中使用。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:25A
導通電阻:1.8mΩ
柵極電荷:45nC
開關速度:快速
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
GA1206A182KBBBT31G 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電阻(1.8mΩ),可顯著減少導通損耗,從而提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關能力,適用于高頻開關應用。
3. 高浪涌電流能力,增強了器件在瞬態(tài)條件下的耐受性。
4. 封裝緊湊且散熱性能優(yōu)越,有助于簡化 PCB 設計并節(jié)省空間。
5. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃ 至 +175℃),使其能夠在惡劣環(huán)境下可靠運行。
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設計。
該芯片廣泛應用于多種領域,主要包括以下方面:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC 轉換器及降壓/升壓電路。
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護電路。
4. 各類電機驅動電路,如步進電機、直流無刷電機等。
5. 汽車電子設備中的負載開關和電源管理。
6. 工業(yè)自動化控制中的功率調節(jié)模塊。
IRFZ44N
STP30NF06L
FDP150AN
AO3400