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GA1206A1R0BXABP31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/12 14:48:51 查看 閱讀:23

GA1206A1R0BXABP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,專為高頻開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。該芯片采用先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高效率等特性。它適用于各種電源管理場景,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電器和電機驅(qū)動器等。

參數(shù)

型號:GA1206A1R0BXABP31G
  類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流:12A
  導(dǎo)通電阻(典型值):1.0mΩ
  柵極電荷(典型值):45nC
  總柵極電荷:70nC
  輸入電容:2800pF
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-247

特性

GA1206A1R0BXABP31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 確保了高效的功率轉(zhuǎn)換,并減少了發(fā)熱。
  2. 快速的開關(guān)速度降低了開關(guān)損耗,使其非常適合高頻應(yīng)用。
  3. 高雪崩擊穿能量提高了器件在異常條件下的可靠性。
  4. 優(yōu)異的熱性能允許在緊湊的設(shè)計中使用更高的功率密度。
  5. 支持寬范圍的工作溫度,確保在極端環(huán)境下的穩(wěn)定性。
  6. 封裝堅固耐用,適合工業(yè)級應(yīng)用需求。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  2. 工業(yè)電機控制和變頻器。
  3. 電動汽車 (EV) 和混合動力汽車 (HEV) 的電池管理系統(tǒng)。
  4. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)。
  5. 高效負(fù)載開關(guān)和保護電路。
  6. 各種需要大電流和高效能的功率電子設(shè)備。

替代型號

GA1206A1R0BXABP30G, IRF540N, FDP5570N

ga1206a1r0bxabp31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容1 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-