GA1206A1R0CXABP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低系統(tǒng)功耗并提高整體性能。
其封裝形式緊湊,適合對(duì)空間要求嚴(yán)格的場(chǎng)景,并且在高頻工作條件下依然保持出色的穩(wěn)定性。
型號(hào):GA1206A1R0CXABP31G
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵極電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):12A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.0mΩ(典型值,25°C)
總功耗(Ptot):15W
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
GA1206A1R0CXABP31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻使其在大電流應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠減少電能損耗。
2. 快速開關(guān)速度降低了開關(guān)損耗,提高了轉(zhuǎn)換效率。
3. 內(nèi)置的 ESD 保護(hù)電路增強(qiáng)了器件的可靠性,尤其在惡劣環(huán)境下使用時(shí)。
4. 熱性能優(yōu)越,能夠在高溫環(huán)境中長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 封裝緊湊,便于 PCB 布局設(shè)計(jì),同時(shí)支持表面貼裝技術(shù)(SMT),提升生產(chǎn)自動(dòng)化程度。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保,滿足國(guó)際法規(guī)要求。
該芯片適用于多種工業(yè)及消費(fèi)類電子設(shè)備中的功率管理與控制場(chǎng)景,包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS) 中的主開關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開關(guān)元件。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)組件。
4. 汽車電子系統(tǒng)的負(fù)載切換與控制。
5. UPS 不間斷電源和電池管理系統(tǒng)中的關(guān)鍵功率元件。
GA1206A1R0CXABP30G, IRFZ44N, FDP5500