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GA1206A1R0CXEBC31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 19:00:26 查看 閱讀�25

GA1206A1R0CXEBC31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電機驅(qū)動、DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,能夠在高頻率和高效率的工作�(huán)境下提供�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
  這款芯片采用了先進的半導(dǎo)體制造工�,具備出色的熱穩(wěn)定性和電氣特性,能夠有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)整體效率�

參數(shù)

型號:GA1206A1R0CXEBC31G
  類型:N溝道增強型MOSFET
  工作電壓(Vds):60V
  連續(xù)漏極電流(Id):100A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.75mΩ
  柵極電荷(Qg):45nC
  輸入電容(Ciss):2800pF
  輸出電容(Coss):105pF
  反向傳輸電容(Crss):49pF
  最大功耗:150W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

GA1206A1R0CXEBC31G具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效減少功率損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用環(huán)��
  3. 高電流承載能力,支持大功率設(shè)備運��
  4. 良好的熱�(wěn)定性,確保在高溫條件下依然保持可靠性能�
  5. 小型封裝�(shè)�,便于PCB布局和系�(tǒng)集成�
  6. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件�
  7. 符合RoHS�(huán)保標(biāo)�(zhǔn),滿足綠色產(chǎn)品設(shè)計需��

�(yīng)�

GA1206A1R0CXEBC31G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�,如適配器、充電器��
  2. 電機�(qū)動,包括無刷直流電機(BLDC)控��
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和能量管��
  4. 太陽能逆變�,實�(xiàn)光伏能源高效�(zhuǎn)��
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和電源管理�
  7. 其他需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場景�

替代型號

GA1206A1R0CXEBC21G, GA1206A1R0CXEBA31G

ga1206a1r0cxebc31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容1 pF
  • 容差±0.25pF
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-