GA1206A1R0CXEBP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工藝以�(shí)�(xiàn)高效率和低導(dǎo)通電阻。該芯片廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的場景�
該器件具備出色的熱性能和電氣特�,能夠在高頻工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)�,同時支持高電流�(fù)載需��
型號:GA1206A1R0CXEBP31G
類型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源極電壓):120V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�1.0mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):60A
封裝形式:TO-247
功耗:250W
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1206A1R0CXEBP31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
3. �(qiáng)大的散熱�(shè)�,可承受更高的功率密��
4. �(nèi)置靜電防�(hù)功能,增�(qiáng)器件的可靠��
5. 支持大電流操�,適用于多種高功率應(yīng)用場景�
6. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端條件下的�(wěn)定性�
這款 MOSFET 芯片被廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模塊�
5. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部��
6. 電動車和混合動力車的電池管理系統(tǒng)及驅(qū)動系�(tǒng)��
IRFP260N
STP120NF10
FDP18N12