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GA1206A1R0CXEBP31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/24 13:22:45 查看 閱讀�15

GA1206A1R0CXEBP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工藝以�(shí)�(xiàn)高效率和低導(dǎo)通電阻。該芯片廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的場景�
  該器件具備出色的熱性能和電氣特�,能夠在高頻工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)�,同時支持高電流�(fù)載需��

參數(shù)

型號:GA1206A1R0CXEBP31G
  類型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源極電壓):120V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�1.0mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):60A
  封裝形式:TO-247
  功耗:250W
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA1206A1R0CXEBP31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
  3. �(qiáng)大的散熱�(shè)�,可承受更高的功率密��
  4. �(nèi)置靜電防�(hù)功能,增�(qiáng)器件的可靠��
  5. 支持大電流操�,適用于多種高功率應(yīng)用場景�
  6. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端條件下的�(wěn)定性�

�(yīng)�

這款 MOSFET 芯片被廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模塊�
  5. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部��
  6. 電動車和混合動力車的電池管理系統(tǒng)及驅(qū)動系�(tǒng)��

替代型號

IRFP260N
  STP120NF10
  FDP18N12

ga1206a1r0cxebp31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容1 pF
  • 容差±0.25pF
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-