GA1206A1R0DXBBP31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、逆變器以及DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,在提供高效率的同時保持了較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,從而顯著減少了功率損耗并提升了系�(tǒng)性能�
該型號是專為需要高效能和高可靠性的�(yīng)用而設(shè)計的,能夠承受較高的電流和電�,同時具備良好的熱穩(wěn)定性和抗電磁干擾能力�
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�120V
最大柵源電�(Vgss):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�6.4A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�5.5mΩ
總功�(Ptot)�160W
工作�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-220AC
GA1206A1R0DXBBP31G具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�(5.5mΩ),這有助于降低�(dǎo)通損�,并提高整體效率�
2. 高速開�(guān)能力,能夠有效減少開�(guān)損耗,提升系統(tǒng)的動�(tài)響應(yīng)性能�
3. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能一致��
4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極管,�(yōu)化了�(xù)流路�,特別適合于同步整流和電�(jī)�(qū)動等�(yīng)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于多種現(xiàn)代電子設(shè)備的�(shè)計需求�
該芯片廣泛用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級開�(guān)元件�
2. 電機(jī)�(qū)動電路中的橋式驅(qū)動或半橋�(qū)��
3. 太陽能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換裝置�
4. 各種工業(yè)自動化控制設(shè)備的功率�(diào)節(jié)模塊�
5. DC-DC�(zhuǎn)換器和負(fù)載點(POL)�(zhuǎn)換器的核心組件�
GA1206A1R0DXBBP32G, IRFZ44N, FQP12N12