GA1206A1R2CBEBT31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)器件,主要用于開�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該型號屬于溝道� MOSFET,具有低�(dǎo)通電�、高效率和快速開�(guān)性能的特點�
該芯片適用于多種電子�(shè)備中,包括但不限于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器等場景。其�(shè)計能夠承受較高的電壓和電流負(fù)�,并提供卓越的熱性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�6.4A
�(dǎo)通電阻:0.028Ω
柵極電荷�37nC
總電容:590pF
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝類型:TO-263-3
GA1206A1R2CBEBT31G 的主要特性如下:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,使其非常適合高頻應(yīng)��
3. 出色的熱�(wěn)定�,在極端溫度條件下也能保持可靠的性能�
4. �(qiáng)大的過載保護(hù)功能,增�(qiáng)整體系統(tǒng)的安全��
5. 小型化封裝設(shè)計,便于在空間有限的電路板上使用�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保無毒害�
此款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和適配器中的功率開�(guān)�
2. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器的核心元件�
3. 電動工具及家用電器的電機(jī)�(qū)動控��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換�
5. 新能源汽車內(nèi)的電池管理系�(tǒng)(BMS)以及逆變器組��
6. LED 照明�(qū)動電��
GA1206A1R2CBEBT21G, GA1206A1R2CBEBT41G