GA1206A1R2CBEBT31G 是一款高性能的 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)器件,主要用于開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該型號屬于溝道型 MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻、高效率和快速開關(guān)性能的特點。
該芯片適用于多種電子設(shè)備中,包括但不限于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等場景。其設(shè)計能夠承受較高的電壓和電流負(fù)載,并提供卓越的熱性能表現(xiàn)。
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流:6.4A
導(dǎo)通電阻:0.028Ω
柵極電荷:37nC
總電容:590pF
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
封裝類型:TO-263-3
GA1206A1R2CBEBT31G 的主要特性如下:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)能力,使其非常適合高頻應(yīng)用。
3. 出色的熱穩(wěn)定性,在極端溫度條件下也能保持可靠的性能。
4. 強(qiáng)大的過載保護(hù)功能,增強(qiáng)整體系統(tǒng)的安全性。
5. 小型化封裝設(shè)計,便于在空間有限的電路板上使用。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保無毒害。
此款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和適配器中的功率開關(guān)。
2. 各類 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心元件。
3. 電動工具及家用電器的電機(jī)驅(qū)動控制。
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換。
5. 新能源汽車內(nèi)的電池管理系統(tǒng)(BMS)以及逆變器組件。
6. LED 照明驅(qū)動電路。
GA1206A1R2CBEBT21G, GA1206A1R2CBEBT41G