GA1206A1R2DBCBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于高頻開�(guān)�(yīng)用和功率�(zhuǎn)換電路中。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高電流處理能力等特�(diǎn)。廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)��
器件類型:MOSFET
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.2 mΩ
最大漏源電壓:60 V
連續(xù)漏極電流�120 A
柵極電荷�75 nC
開關(guān)頻率:高�(dá) 1 MHz
封裝類型:TO-247
GA1206A1R2DBCBT31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可顯著降低功率損��
2. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
3. 高電流處理能�,能夠滿足大功率�(fù)載需求�
4. �(nèi)置過溫保�(hù)功能,提高系�(tǒng)可靠��
5. �(yōu)異的熱性能,有助于提升整體效率�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)�(jì)�
該芯片適用于多種電力電子�(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于�
1. 開關(guān)電源 (SMPS)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控制�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率模��
5. 新能源領(lǐng)�,如太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車牽引逆變器�
6. 高效功率因數(shù)校正 (PFC) 電路�
IRFP2907ZPBF
IXYS20N60P3
FDP18N60B