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GA1206A1R5BBABR31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/19 17:39:27 查看 閱讀:19

GA1206A1R5BBABR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先進(jìn)的制造工藝以確保其在高電流和高頻應(yīng)用中的卓越表現(xiàn)。該芯片廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域,能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的性能。
  這款功率 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效率。同時,它還具備出色的熱穩(wěn)定性和抗靜電能力,適合各種嚴(yán)苛的工作環(huán)境。

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流:6A
  導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷:35nC
  開關(guān)頻率:500kHz
  工作溫度范圍:-55℃至+175℃

特性

GA1206A1R5BBABR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。
  2. 快速的開關(guān)速度,適用于高頻應(yīng)用場合。
  3. 高度可靠的封裝設(shè)計,確保長時間運行穩(wěn)定性。
  4. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)多種工業(yè)和消費級應(yīng)用場景。
  5. 內(nèi)置保護(hù)功能,如過流保護(hù)和短路保護(hù),增強器件的安全性。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。

應(yīng)用

該芯片主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)
  2. 電機驅(qū)動
  3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  4. 太陽能逆變器
  5. 電動工具
  6. 汽車電子系統(tǒng)
  7. 工業(yè)自動化設(shè)備
  這些應(yīng)用得益于其高效率、低損耗以及可靠性的特點,可為終端產(chǎn)品帶來更優(yōu)的性能表現(xiàn)。

替代型號

GA1206A1R5BBABR32G, IRF1206ZPBF, FDP1206N12ASL

ga1206a1r5bbabr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容1.5 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-