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GA1206A1R8BBLBT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/12 14:52:23 查看 閱讀:22

GA1206A1R8BBLBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用設(shè)計(jì)。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低功耗。
  該型號(hào)屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET,適用于高頻開關(guān)場(chǎng)景,其封裝形式和電氣性能經(jīng)過優(yōu)化,以滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效能的需求。

參數(shù)

型號(hào):GA1206A1R8BBLBT31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓Vds:60V
  最大柵源電壓Vgs:±20V
  最大連續(xù)漏極電流Id:32A
  導(dǎo)通電阻Rds(on):1.8mΩ(在Vgs=10V時(shí))
  總功耗Ptot:40W
  結(jié)溫范圍Tj:-55°C 至 +175°C
  封裝形式:TO-247-3L

特性

GA1206A1R8BBLBT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少導(dǎo)通損耗并提升整體效率。
  2. 高速開關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
  3. 具備出色的熱性能,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
  4. 小型化的封裝設(shè)計(jì),便于集成到緊湊型電路中。
  5. 高可靠性和長壽命,確保在嚴(yán)苛條件下的穩(wěn)定表現(xiàn)。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
  5. 通信電源
  6. 太陽能逆變器
  7. 電動(dòng)車及混合動(dòng)力汽車中的功率轉(zhuǎn)換模塊
  其優(yōu)異的性能使其成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇。

替代型號(hào)

GA1206A1R8BBJBT31G, IRF540N, FDP5570N

ga1206a1r8bblbt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容1.8 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-