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GA1206A1R8BBLBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 14:52:23 查看 閱讀�22

GA1206A1R8BBLBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功��
  該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET,適用于高頻開關(guān)�(chǎng)�,其封裝形式和電氣性能�(jīng)過優(yōu)�,以滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效能的需求�

參數(shù)

型號(hào):GA1206A1R8BBLBT31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓Vds�60V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  最大連續(xù)漏極電流Id�32A
  �(dǎo)通電阻Rds(on)�1.8mΩ(在Vgs=10V�(shí)�
  總功耗Ptot�40W
  �(jié)溫范圍Tj�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247-3L

特�

GA1206A1R8BBLBT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提升整體效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 具備出色的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  4. 小型化的封裝�(shè)�(jì),便于集成到緊湊型電路中�
  5. 高可靠性和長壽命,確保在嚴(yán)苛條件下的穩(wěn)定表�(xiàn)�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  5. 通信電源
  6. 太陽能逆變�
  7. 電動(dòng)車及混合�(dòng)力汽車中的功率轉(zhuǎn)換模�
  其優(yōu)異的性能使其成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

GA1206A1R8BBJBT31G, IRF540N, FDP5570N

ga1206a1r8bblbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容1.8 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-