GA1206A1R8BBLBT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功��
該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET,適用于高頻開關(guān)�(chǎng)�,其封裝形式和電氣性能�(jīng)過優(yōu)�,以滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效能的需求�
型號(hào):GA1206A1R8BBLBT31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
最大連續(xù)漏極電流Id�32A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�1.8mΩ(在Vgs=10V�(shí)�
總功耗Ptot�40W
�(jié)溫范圍Tj�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-3L
GA1206A1R8BBLBT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提升整體效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
3. 具備出色的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
4. 小型化的封裝�(shè)�(jì),便于集成到緊湊型電路中�
5. 高可靠性和長壽命,確保在嚴(yán)苛條件下的穩(wěn)定表�(xiàn)�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
5. 通信電源
6. 太陽能逆變�
7. 電動(dòng)車及混合�(dòng)力汽車中的功率轉(zhuǎn)換模�
其優(yōu)異的性能使其成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇�
GA1206A1R8BBJBT31G, IRF540N, FDP5570N