GA1206A1R8DBABT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開關電源、電機驅動和 DC-DC 轉換器等應用。該芯片采用先進的半導體制造工藝,具有低導通電阻和高電流處理能力,能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和可靠性。
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器件,其設計優(yōu)化了動態(tài)性能和靜態(tài)性能之間的平衡,適合高頻開關應用場景。通過封裝技術的改進,GA1206A1R8DBABT31G 還具備出色的熱管理和電氣特性。
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):140A
導通電阻(Rds(on)):1.8mΩ
總柵極電荷(Qg):75nC
輸入電容(Ciss):4390pF
輸出電容(Coss):930pF
反向傳輸電容(Crss):125pF
功耗(Ptot):175W
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
GA1206A1R8DBABT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),可有效降低傳導損耗,提高系統(tǒng)效率。
2. 高電流承載能力,支持高達 140A 的連續(xù)漏極電流。
3. 優(yōu)化的柵極電荷設計,有助于實現(xiàn)快速開關和降低開關損耗。
4. 小型化的封裝形式,提供良好的散熱性能,同時節(jié)省電路板空間。
5. 廣泛的工作溫度范圍(-55°C 至 +175°C),確保在極端環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
6. 出色的靜電防護(ESD)能力,提升了器件的可靠性和耐用性。
7. 符合 RoHS 標準,滿足環(huán)保要求。
GA1206A1R8DBABT31G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管。
2. 電動工具、家用電器及工業(yè)設備中的電機驅動電路。
3. DC-DC 轉換器和降壓/升壓轉換器的核心功率元件。
4. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系統(tǒng)(BMS)以及逆變器。
5. 高效節(jié)能的 LED 驅動電源。
6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關設備。
7. 各類需要大電流、高效率和高頻工作的電力電子裝置。
GA1206A1R8DBABT30G, IRFP2907ZPBF, FDP150N06LE