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GA1206A1R8DBABT31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/12 19:04:46 查看 閱讀:21

GA1206A1R8DBABT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開關電源、電機驅動和 DC-DC 轉換器等應用。該芯片采用先進的半導體制造工藝,具有低導通電阻和高電流處理能力,能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和可靠性。
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器件,其設計優(yōu)化了動態(tài)性能和靜態(tài)性能之間的平衡,適合高頻開關應用場景。通過封裝技術的改進,GA1206A1R8DBABT31G 還具備出色的熱管理和電氣特性。

參數(shù)

類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):140A
  導通電阻(Rds(on)):1.8mΩ
  總柵極電荷(Qg):75nC
  輸入電容(Ciss):4390pF
  輸出電容(Coss):930pF
  反向傳輸電容(Crss):125pF
  功耗(Ptot):175W
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C

特性

GA1206A1R8DBABT31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)),可有效降低傳導損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高電流承載能力,支持高達 140A 的連續(xù)漏極電流。
  3. 優(yōu)化的柵極電荷設計,有助于實現(xiàn)快速開關和降低開關損耗。
  4. 小型化的封裝形式,提供良好的散熱性能,同時節(jié)省電路板空間。
  5. 廣泛的工作溫度范圍(-55°C 至 +175°C),確保在極端環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
  6. 出色的靜電防護(ESD)能力,提升了器件的可靠性和耐用性。
  7. 符合 RoHS 標準,滿足環(huán)保要求。

應用

GA1206A1R8DBABT31G 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管。
  2. 電動工具、家用電器及工業(yè)設備中的電機驅動電路。
  3. DC-DC 轉換器和降壓/升壓轉換器的核心功率元件。
  4. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系統(tǒng)(BMS)以及逆變器。
  5. 高效節(jié)能的 LED 驅動電源。
  6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關設備。
  7. 各類需要大電流、高效率和高頻工作的電力電子裝置。

替代型號

GA1206A1R8DBABT30G, IRFP2907ZPBF, FDP150N06LE

ga1206a1r8dbabt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格停產
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產品狀態(tài)停產
  • 電容1.8 pF
  • 容差±0.5pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-