GA1206A1R8DBBBR31G 是一款由東芝(Toshiba)制造的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)動等場景。該芯片采用 N 溝道增強(qiáng)型設(shè)�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,可顯著降低功率損耗并提升系統(tǒng)性能�
此型號專為工�(yè)級應(yīng)用設(shè)�,適用于需要高可靠性和高性能的場�,例如服�(wù)器電�、通信�(shè)�、太陽能逆變器以及各種大功率電子�(shè)備�
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�6A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�45nC
工作溫度范圍�-55� � 175�
封裝形式:TO-247-3L
GA1206A1R8DBBBR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 可以有效減少�(dǎo)通損�,從而提高整體效��
2. 高速開�(guān)性能使其非常適合高頻 PWM 控制的應(yīng)用�
3. 較高的雪崩能量耐受能力,增�(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒性�
4. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)惡劣的工作環(huán)��
5. 封裝散熱性能�(yōu)�,能夠承受較大的功率�(fù)載�
6. �(nèi)� ESD 保護(hù)電路,提升了�(chǎn)品的可靠��
GA1206A1R8DBBBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 大功率電�(jī)�(qū)動及控制�
3. 新能源設(shè)備,如太陽能逆變器和�(fēng)力發(fā)電系�(tǒng)�
4. 通信�(shè)備中的高效電源管��
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率模��
6. 各類大電流負(fù)載切換和保護(hù)電路�
IRFZ44N
STP10NK60Z
FDP15U20AE
AON6920