GA1206A1R8DXEBC31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高性能功率晶體管,專為高頻、高效率�(yīng)用場景設(shè)�。該器件采用了先進的 GaN-on-Silicon 工藝,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及通信電源等領(lǐng)��
其封裝形式為增強� DFN 封裝,能夠提供出色的散熱性能和電氣穩(wěn)定�。此�,該型號還具備較高的擊穿電壓,確保在高壓�(huán)境下的可靠運��
額定電壓�650V
連續(xù)�(dǎo)通電流:14A
�(dǎo)通電阻:9.5mΩ
柵極電荷�45nC
反向恢復(fù)時間:無
開關(guān)頻率:最高可� 5MHz
工作溫度范圍�-55°C>封裝類型:DFN8
1. 采用氮化鎵材�,顯著提升功率密度和效率�
2. 極低的導(dǎo)通電�,減少導(dǎo)通損��
3. 快速開�(guān)速度,支� MHz 級工作頻��
4. �(nèi)� ESD 保護電路,增強可靠��
5. 高溫�(wěn)定性,適用于嚴(yán)苛的工作�(huán)��
6. 小型化封裝設(shè)�,節(jié)� PCB 占用面積�
7. 兼容傳統(tǒng)� MOSFET 的驅(qū)動方式,便于�(shè)計遷��
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. 服務(wù)器和通信�(shè)備電�
3. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器
4. 消費類快充適配器
5. 無線充電�(fā)射端
6. 工業(yè)電機�(qū)動系�(tǒng)
7. 光伏逆變器和儲能系統(tǒng)
GAN064-650WSA
GAN1206A1R8DXE
GS665AD040-2L