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GA1206A220GBEBR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/28 9:57:21 查看 閱讀:17

GA1206A220GBEBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各種開(kāi)關(guān)應(yīng)用中。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,在導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)速度和耐壓能力方面表現(xiàn)出色。其設(shè)計(jì)適用于高效率、高密度的電力電子系統(tǒng),能夠有效降低能耗并提高系統(tǒng)的整體性能。
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器件,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,適合在高頻工作條件下使用。同時(shí),它還具備良好的熱穩(wěn)定性和抗靜電能力,確保了在復(fù)雜環(huán)境下的可靠運(yùn)行。

參數(shù)

型號(hào):GA1206A220GBEBR31G
  類(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  額定電壓:650V
  額定電流:22A
  導(dǎo)通電阻(典型值):80mΩ
  柵極電荷(典型值):65nC
  最大功耗:200W
  封裝形式:TO-247
  工作溫度范圍:-55℃至+150℃

特性

GA1206A220GBEBR31G 的主要特點(diǎn)包括:
  1. 高額定電壓(650V),能夠適應(yīng)較寬的工作電壓范圍。
  2. 低導(dǎo)通電阻(80mΩ),有助于減少導(dǎo)通損耗,提升效率。
  3. 快速開(kāi)關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
  4. 較高的電流承載能力(22A),滿(mǎn)足大功率需求。
  5. 良好的熱性能,有助于散熱設(shè)計(jì)優(yōu)化。
  6. 強(qiáng)大的ESD防護(hù)能力,提高了器件的可靠性。
  這些特性使得該MOSFET非常適合用于高效能的開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。

應(yīng)用

GA1206A220GBEBR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
  4. 太陽(yáng)能逆變器
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
  6. 工業(yè)控制設(shè)備
  7. 汽車(chē)電子系統(tǒng)
  由于其出色的電氣特性和可靠性,這款MOSFET特別適合需要高效率和高功率密度的設(shè)計(jì)場(chǎng)景。

替代型號(hào)

IRFP460,
  STP220N65,
  FDP18N65,
  IXYS22N65

ga1206a220gbebr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容22 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-