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GA1206A220GBEBR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/28 9:57:21 查看 閱讀：17

GA1206A220GBEBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各種開(kāi)關(guān)應(yīng)用中。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，在導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)速度和耐壓能力方面表現(xiàn)出色。其設(shè)計(jì)適用于高效率、高密度的電力電子系統(tǒng)，能夠有效降低能耗并提高系統(tǒng)的整體性能。
　　這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器件，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力，適合在高頻工作條件下使用。同時(shí)，它還具備良好的熱穩(wěn)定性和抗靜電能力，確保了在復(fù)雜環(huán)境下的可靠運(yùn)行。

參數(shù)

型號(hào)：GA1206A220GBEBR31G
　　類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
　　額定電壓：650V
　　額定電流：22A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：80mΩ
　　柵極電荷（典型值）：65nC
　　最大功耗：200W
　　封裝形式：TO-247
　　工作溫度范圍：-55℃至+150℃

特性

GA1206A220GBEBR31G 的主要特點(diǎn)包括：
　　1. 高額定電壓（650V），能夠適應(yīng)較寬的工作電壓范圍。
　　2. 低導(dǎo)通電阻（80mΩ），有助于減少導(dǎo)通損耗，提升效率。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)能力，適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
　　4. 較高的電流承載能力（22A），滿(mǎn)足大功率需求。
　　5. 良好的熱性能，有助于散熱設(shè)計(jì)優(yōu)化。
　　6. 強(qiáng)大的ESD防護(hù)能力，提高了器件的可靠性。
　　這些特性使得該MOSFET非常適合用于高效能的開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。

應(yīng)用

GA1206A220GBEBR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
　　4. 太陽(yáng)能逆變器
　　5. 電池管理系統(tǒng)（BMS）
　　6. 工業(yè)控制設(shè)備
　　7. 汽車(chē)電子系統(tǒng)
　　由于其出色的電氣特性和可靠性，這款MOSFET特別適合需要高效率和高功率密度的設(shè)計(jì)場(chǎng)景。

替代型號(hào)

IRFP460,
　　STP220N65,
　　FDP18N65,
　　IXYS22N65

ga1206a220gbebr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶（TR）
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容22 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G，NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝，MLCC
  • 封裝/外殼1206（3216 公制）
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬（3.20mm x 1.60mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）-
  • 厚度（最大值）0.067"（1.70mm）
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-