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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A220GBEBR31G

GA1206A220GBEBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 9:57:21 查看 閱讀�17

GA1206A220GBEBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各種�(kāi)�(guān)�(yīng)用中。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,在�(dǎo)通電阻、開(kāi)�(guān)速度和耐壓能力方面表現(xiàn)出色。其�(shè)�(jì)適用于高效率、高密度的電力電子系�(tǒng),能夠有效降低能耗并提高系統(tǒng)的整體性能�
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能�,適合在高頻工作條件下使用。同�(shí),它還具備良好的熱穩(wěn)定性和抗靜電能�,確保了在復(fù)雜環(huán)境下的可靠運(yùn)��

參數(shù)

型號(hào):GA1206A220GBEBR31G
  �(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  額定電壓�650V
  額定電流�22A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�80mΩ
  柵極電荷(典型值)�65nC
  最大功耗:200W
  封裝形式:TO-247
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

GA1206A220GBEBR31G 的主要特�(diǎn)包括�
  1. 高額定電壓(650V�,能夠適�(yīng)較寬的工作電壓范圍�
  2. 低導(dǎo)通電阻(80mΩ�,有助于減少�(dǎo)通損�,提升效��
  3. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  4. 較高的電流承載能力(22A),�(mǎn)足大功率需��
  5. 良好的熱性能,有助于散熱�(shè)�(jì)�(yōu)��
  6. �(qiáng)大的ESD防護(hù)能力,提高了器件的可靠��
  這些特性使得該MOSFET非常適合用于高效能的�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)��

�(yīng)�

GA1206A220GBEBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
  4. 太陽(yáng)能逆變�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  6. 工業(yè)控制�(shè)�
  7. 汽車(chē)電子系統(tǒng)
  由于其出色的電氣特性和可靠�,這款MOSFET特別適合需要高效率和高功率密度的設(shè)�(jì)�(chǎng)��

替代型號(hào)

IRFP460,
  STP220N65,
  FDP18N65,
  IXYS22N65

ga1206a220gbebr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容22 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-