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GA1206A220JXEBC31G 發(fā)布時間 時間:2025/6/4 4:28:25 查看 閱讀:13

GA1206A220JXEBC31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率管理的電子設(shè)備中。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點,從而提高了系統(tǒng)的整體效率并降低了功耗。
  此型號中的具體參數(shù)和封裝形式使其非常適合用于需要緊湊設(shè)計和高效率的應(yīng)用場景。

參數(shù)

型號:GA1206A220JXEBC31G
  類型:N溝道 MOSFET
  VDS(漏源極電壓):650V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻):220mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流):12A
  Qg(柵極電荷):45nC
  VGS(th)(柵源開啟電壓):2.1V~4.5V
  fT(特征頻率):1.2MHz
  封裝形式:TO-220

特性

GA1206A220JXEBC31G具有以下顯著特點:
  1. 高耐壓能力:其額定漏源極電壓為650V,適合高壓應(yīng)用環(huán)境。
  2. 低導(dǎo)通電阻:在典型工作條件下,導(dǎo)通電阻僅為220mΩ,能夠有效降低功率損耗。
  3. 快速開關(guān)性能:具備較低的柵極電荷(45nC),從而實現(xiàn)快速開關(guān)操作。
  4. 強(qiáng)大的電流承載能力:連續(xù)漏極電流可達(dá)12A,滿足大功率負(fù)載需求。
  5. 穩(wěn)定性與可靠性:通過嚴(yán)格的測試篩選,確保在各種工況下的穩(wěn)定運行。
  6. 封裝優(yōu)勢:采用標(biāo)準(zhǔn)TO-220封裝,便于安裝和散熱處理。

應(yīng)用

該型號的MOSFET適用于多種工業(yè)及消費類電子產(chǎn)品領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)
  2. 逆變器
  3. 電機(jī)驅(qū)動電路
  4. DC-DC轉(zhuǎn)換器
  5. LED驅(qū)動器
  6. 充電器
  7. 各類功率管理模塊
  由于其出色的電氣性能和物理特性,GA1206A220JXEBC31G成為眾多工程師在設(shè)計高效率、高可靠性的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)時的首選。

替代型號

IRF840A
  FQP14N65C
  STP12NK65M5

ga1206a220jxebc31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容22 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-