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GA1206A220JXEBC31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 4:28:25 查看 閱讀�13

GA1206A220JXEBC31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率管理的電子設(shè)備中。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特點,從而提高了系統(tǒng)的整體效率并降低了功��
  此型號中的具體參�(shù)和封裝形式使其非常適合用于需要緊湊設(shè)計和高效率的�(yīng)用場��

參數(shù)

型號:GA1206A220JXEBC31G
  類型:N溝道 MOSFET
  VDS(漏源極電壓):650V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�220mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流):12A
  Qg(柵極電荷)�45nC
  VGS(th)(柵源開啟電壓)�2.1V~4.5V
  fT(特征頻率)�1.2MHz
  封裝形式:TO-220

特�

GA1206A220JXEBC31G具有以下顯著特點�
  1. 高耐壓能力:其額定漏源極電壓為650V,適合高壓應(yīng)用環(huán)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:在典型工作條件下,導(dǎo)通電阻僅�220mΩ,能夠有效降低功率損��
  3. 快速開�(guān)性能:具備較低的柵極電荷�45nC�,從而實�(xiàn)快速開�(guān)操作�
  4. �(qiáng)大的電流承載能力:連續(xù)漏極電流可達(dá)12A,滿足大功率�(fù)載需求�
  5. �(wěn)定性與可靠性:通過�(yán)格的測試篩選,確保在各種工況下的�(wěn)定運行�
  6. 封裝�(yōu)勢:采用�(biāo)�(zhǔn)TO-220封裝,便于安裝和散熱處理�

�(yīng)�

該型號的MOSFET適用于多種工�(yè)及消費類電子�(chǎn)品領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. 逆變�
  3. 電機(jī)�(qū)動電�
  4. DC-DC�(zhuǎn)換器
  5. LED�(qū)動器
  6. 充電�
  7. 各類功率管理模塊
  由于其出色的電氣性能和物理特�,GA1206A220JXEBC31G成為眾多工程師在�(shè)計高效率、高可靠性的功率�(zhuǎn)換系�(tǒng)時的首選�

替代型號

IRF840A
  FQP14N65C
  STP12NK65M5

ga1206a220jxebc31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容22 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-