GA1206A220JXEBC31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率管理的電子設(shè)備中。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特點,從而提高了系統(tǒng)的整體效率并降低了功��
此型號中的具體參�(shù)和封裝形式使其非常適合用于需要緊湊設(shè)計和高效率的�(yīng)用場��
型號:GA1206A220JXEBC31G
類型:N溝道 MOSFET
VDS(漏源極電壓):650V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�220mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):12A
Qg(柵極電荷)�45nC
VGS(th)(柵源開啟電壓)�2.1V~4.5V
fT(特征頻率)�1.2MHz
封裝形式:TO-220
GA1206A220JXEBC31G具有以下顯著特點�
1. 高耐壓能力:其額定漏源極電壓為650V,適合高壓應(yīng)用環(huán)��
2. 低導(dǎo)通電阻:在典型工作條件下,導(dǎo)通電阻僅�220mΩ,能夠有效降低功率損��
3. 快速開�(guān)性能:具備較低的柵極電荷�45nC�,從而實�(xiàn)快速開�(guān)操作�
4. �(qiáng)大的電流承載能力:連續(xù)漏極電流可達(dá)12A,滿足大功率�(fù)載需求�
5. �(wěn)定性與可靠性:通過�(yán)格的測試篩選,確保在各種工況下的�(wěn)定運行�
6. 封裝�(yōu)勢:采用�(biāo)�(zhǔn)TO-220封裝,便于安裝和散熱處理�
該型號的MOSFET適用于多種工�(yè)及消費類電子�(chǎn)品領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 逆變�
3. 電機(jī)�(qū)動電�
4. DC-DC�(zhuǎn)換器
5. LED�(qū)動器
6. 充電�
7. 各類功率管理模塊
由于其出色的電氣性能和物理特�,GA1206A220JXEBC31G成為眾多工程師在�(shè)計高效率、高可靠性的功率�(zhuǎn)換系�(tǒng)時的首選�
IRF840A
FQP14N65C
STP12NK65M5