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GA1206A221JBBBT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/28 21:06:12 查看 閱讀：17

GA1206A221JBBBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。其封裝形式為TO-263，適合表面貼裝技術(shù)(SMT)，便于自動(dòng)化生產(chǎn)和組裝。
　　該芯片在設(shè)計(jì)上優(yōu)化了熱性能，確保在高電流和高頻率工作條件下依然保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。同時(shí)，其內(nèi)置的保護(hù)功能（如過(guò)流保護(hù)和過(guò)溫保護(hù)）進(jìn)一步提升了系統(tǒng)的可靠性和安全性。

參數(shù)

型號(hào)：GA1206A221JBBBT31G
　　封裝：TO-263
　　最大漏源電壓(Vds)：60V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：40A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：2.5mΩ
　　柵極電荷(Qg)：80nC
　　開(kāi)關(guān)速度：快速
　　工作溫度范圍：-55°C至+175°C

特性

GA1206A221JBBBT31G具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻(2.5mΩ)，能夠有效減少導(dǎo)通損耗，提升整體效率。
　　2. 高電流處理能力(高達(dá)40A)，適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)合。
　　3. 快速的開(kāi)關(guān)速度和較小的柵極電荷(80nC)，降低了開(kāi)關(guān)損耗。
　　4. 內(nèi)置過(guò)流和過(guò)溫保護(hù)功能，提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
　　5. 廣泛的工作溫度范圍(-55°C至+175°C)，適應(yīng)各種嚴(yán)苛環(huán)境條件。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)，滿足國(guó)際環(huán)保法規(guī)要求。

應(yīng)用

GA1206A221JBBBT31G廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。
　　2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
　　3. 工業(yè)設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和電源管理。
　　4. 汽車電子系統(tǒng)中的直流電機(jī)控制和負(fù)載切換。
　　5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)。
　　6. 各種需要高效功率管理的消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

替代型號(hào)

GA1206A221JBBBT32G, IRF3205, AO3400

ga1206a221jbbbt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶（TR）
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容220 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G，NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝，MLCC
  • 封裝/外殼1206（3216 公制）
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬（3.20mm x 1.60mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）-
  • 厚度（最大值）0.067"（1.70mm）
  • 引線間距-
  • 引線樣式-