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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A221KXBBR31G

GA1206A221KXBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 4:29:48 查看 閱讀�12

GA1206A221KXBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了效率和可靠�,適合需要高效能和穩(wěn)定性的�(yīng)用場(chǎng)合�
  該型�(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET,支持高頻工作環(huán)�,并且在高溫條件下也能保持良好的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流�6.8A
  �(dǎo)通電阻:22mΩ
  柵極電荷�29nC
  輸入電容�1250pF
  總電容:1550pF
  �(kāi)�(guān)速度�7ns
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

GA1206A221KXBBR31G具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(22mΩ�,有效降低功耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用場(chǎng)景,減少�(kāi)�(guān)損��
  3. 良好的熱�(wěn)定性,即使在極端溫度條件下也能保證性能一致��
  4. �(qiáng)大的電流承載能力(連續(xù)漏極電流�(dá)6.8A),適用于大功率�(yīng)��
  5. 緊湊的封裝設(shè)�(jì),便于PCB布局與散熱管��
  6. 出色的抗電磁干擾能力,確保在�(fù)雜電磁環(huán)境下可靠�(yùn)��
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于多種電力電子�(shè)備中,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化控�
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切�
  7. 可再生能源系�(tǒng)(如太陽(yáng)能逆變器)
  8. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的電源管理模塊

ga1206a221kxbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容220 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-