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GA1206A221KXBBR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/4 4:29:48 查看 閱讀:12

GA1206A221KXBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能。其設(shè)計(jì)優(yōu)化了效率和可靠性,適合需要高效能和穩(wěn)定性的應(yīng)用場(chǎng)合。
  該型號(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET,支持高頻工作環(huán)境,并且在高溫條件下也能保持良好的性能表現(xiàn)。

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流:6.8A
  導(dǎo)通電阻:22mΩ
  柵極電荷:29nC
  輸入電容:1250pF
  總電容:1550pF
  開(kāi)關(guān)速度:7ns
  工作溫度范圍:-55℃至+150℃

特性

GA1206A221KXBBR31G具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(22mΩ),有效降低功耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高速開(kāi)關(guān)能力,能夠適應(yīng)高頻應(yīng)用場(chǎng)景,減少開(kāi)關(guān)損耗。
  3. 良好的熱穩(wěn)定性,即使在極端溫度條件下也能保證性能一致性。
  4. 強(qiáng)大的電流承載能力(連續(xù)漏極電流達(dá)6.8A),適用于大功率應(yīng)用。
  5. 緊湊的封裝設(shè)計(jì),便于PCB布局與散熱管理。
  6. 出色的抗電磁干擾能力,確保在復(fù)雜電磁環(huán)境下可靠運(yùn)行。
  7. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于多種電力電子設(shè)備中,包括但不限于:
  1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
  5. 工業(yè)自動(dòng)化控制
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換
  7. 可再生能源系統(tǒng)(如太陽(yáng)能逆變器)
  8. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的電源管理模塊

ga1206a221kxbbr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容220 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-