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GA1206A221KXEBR31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/24 13:26:19 查看 閱讀:14

GA1206A221KXEBR31G是一款高性能的功率MOSFET器件,主要用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該芯片采用先進(jìn)的制程工藝制造,具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠有效降低系統(tǒng)能耗并提高整體性能。
  這款功率MOSFET適用于需要高效能和快速開關(guān)的應(yīng)用場景,具有出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,能夠在嚴(yán)苛的工作條件下長期運(yùn)行。

參數(shù)

型號:GA1206A221KXEBR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):120V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  持續(xù)漏極電流(Id):6.5A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.18Ω
  總功耗(Ptot):17W
  工作溫度范圍:-55°C to 150°C
  封裝形式:TO-220AC

特性

GA1206A221KXEBR31G具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(0.18Ω),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 高速開關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
  3. 良好的熱穩(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下也能保持優(yōu)異性能。
  4. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)對瞬態(tài)電壓的承受能力。
  5. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能,提高器件的可靠性和抗干擾能力。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
  這些特點(diǎn)使得GA1206A221KXEBR31G成為多種工業(yè)和消費(fèi)電子應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

GA1206A221KXEBR31G廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器及升降壓電路設(shè)計。
  3. 各類電機(jī)驅(qū)動電路,例如步進(jìn)電機(jī)、直流無刷電機(jī)等。
  4. 工業(yè)控制設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)。
  5. 汽車電子中的電池管理系統(tǒng)(BMS)以及車身控制模塊(BCM)。
  其強(qiáng)大的性能和靈活性使其成為眾多電力電子應(yīng)用的核心組件。

替代型號

GA1206A221KXEBR31G-A, IRFZ44N, FDP5800

ga1206a221kxebr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容220 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-