時間：2025/5/24 13:26:19
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GA1206A221KXEBR31G是一款高性能的功率MOSFET器件，主要用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該芯片采用先進(jìn)的制程工藝制造，具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)，能夠有效降低系統(tǒng)能耗并提高整體性能。
這款功率MOSFET適用于需要高效能和快速開關(guān)的應(yīng)用場景，具有出色的熱穩(wěn)定性和可靠性，能夠在嚴(yán)苛的工作條件下長期運(yùn)行。
型號：GA1206A221KXEBR31G
類型：N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds)：120V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
持續(xù)漏極電流(Id)：6.5A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：0.18Ω
總功耗(Ptot)：17W
工作溫度范圍：-55°C to 150°C
封裝形式：TO-220AC
GA1206A221KXEBR31G具備以下主要特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻(0.18Ω)，有助于減少傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)能力，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 良好的熱穩(wěn)定性，確保在高溫環(huán)境下也能保持優(yōu)異性能。
4. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)對瞬態(tài)電壓的承受能力。
5. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能，提高器件的可靠性和抗干擾能力。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
這些特點(diǎn)使得GA1206A221KXEBR31G成為多種工業(yè)和消費(fèi)電子應(yīng)用的理想選擇。
GA1206A221KXEBR31G廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器及升降壓電路設(shè)計。
3. 各類電機(jī)驅(qū)動電路，例如步進(jìn)電機(jī)、直流無刷電機(jī)等。
4. 工業(yè)控制設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)。
5. 汽車電子中的電池管理系統(tǒng)(BMS)以及車身控制模塊(BCM)。
其強(qiáng)大的性能和靈活性使其成為眾多電力電子應(yīng)用的核心組件。
GA1206A221KXEBR31G-A, IRFZ44N, FDP5800
