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GA1206A221KXEBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/24 13:26:19 查看 閱讀�14

GA1206A221KXEBR31G是一款高性能的功率MOSFET器件,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該芯片采用先�(jìn)的制程工藝制�,具備低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠有效降低系�(tǒng)能耗并提高整體性能�
  這款功率MOSFET適用于需要高效能和快速開�(guān)的應(yīng)用場�,具有出色的熱穩(wěn)定性和可靠�,能夠在�(yán)苛的工作條件下長期運(yùn)��

參數(shù)

型號:GA1206A221KXEBR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�120V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  持續(xù)漏極電流(Id)�6.5A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�0.18Ω
  總功�(Ptot)�17W
  工作溫度范圍�-55°C to 150°C
  封裝形式:TO-220AC

特�

GA1206A221KXEBR31G具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�(0.18Ω),有助于減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. 良好的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下也能保持�(yōu)異性能�
  4. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)對瞬�(tài)電壓的承受能力�
  5. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提高器件的可靠性和抗干擾能力�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
  這些特點(diǎn)使得GA1206A221KXEBR31G成為多種工業(yè)和消�(fèi)電子�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

GA1206A221KXEBR31G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器及升降壓電路�(shè)��
  3. 各類電機(jī)�(qū)動電�,例如步�(jìn)電機(jī)、直流無刷電�(jī)��
  4. 工業(yè)控制�(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)�
  5. 汽車電子中的電池管理系統(tǒng)(BMS)以及車身控制模塊(BCM)�
  其強(qiáng)大的性能和靈活性使其成為眾多電力電子應(yīng)用的核心組件�

替代型號

GA1206A221KXEBR31G-A, IRFZ44N, FDP5800

ga1206a221kxebr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容220 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-