GA1206A221KXEBR31G是一款高性能的功率MOSFET器件,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該芯片采用先�(jìn)的制程工藝制�,具備低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠有效降低系�(tǒng)能耗并提高整體性能�
這款功率MOSFET適用于需要高效能和快速開�(guān)的應(yīng)用場�,具有出色的熱穩(wěn)定性和可靠�,能夠在�(yán)苛的工作條件下長期運(yùn)��
型號:GA1206A221KXEBR31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�120V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�6.5A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.18Ω
總功�(Ptot)�17W
工作溫度范圍�-55°C to 150°C
封裝形式:TO-220AC
GA1206A221KXEBR31G具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�(0.18Ω),有助于減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 良好的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下也能保持�(yōu)異性能�
4. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)對瞬�(tài)電壓的承受能力�
5. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提高器件的可靠性和抗干擾能力�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
這些特點(diǎn)使得GA1206A221KXEBR31G成為多種工業(yè)和消�(fèi)電子�(yīng)用的理想選擇�
GA1206A221KXEBR31G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器及升降壓電路�(shè)��
3. 各類電機(jī)�(qū)動電�,例如步�(jìn)電機(jī)、直流無刷電�(jī)��
4. 工業(yè)控制�(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)�
5. 汽車電子中的電池管理系統(tǒng)(BMS)以及車身控制模塊(BCM)�
其強(qiáng)大的性能和靈活性使其成為眾多電力電子應(yīng)用的核心組件�
GA1206A221KXEBR31G-A, IRFZ44N, FDP5800