GA1206A221KXEBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類開關(guān)電路中。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠在高效率和高可靠性要求的�(yīng)用場景中表現(xiàn)出色�
此型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)� MOSFET,其封裝形式� TO-252(DPAK�,能夠承受較高的電壓和電�,并具備良好的散熱性能�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�60nC
總電容:1350pF
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
GA1206A221KXEBT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損�,提高整體系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,可支持高頻�(yīng)�,同�(shí)降低開關(guān)損��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐受��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),適用于高溫�(huán)境下的長期運(yùn)��
5. 封裝�(shè)�(jì)緊湊且具備出色的散熱性能,適合高功率密度的應(yīng)用�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛�
這款功率 MOSFET 可用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換�
5. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開�(guān)�
6. 太陽能逆變器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)��
IRFZ44N, FDP5500, AOT290L