GA1206A222FBCBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬于溝道增強型 MOSFET 系列。該芯片主要應用于高效率開關電源、電機驅動和負載切換等領�,具有低導通電阻、高開關速度以及出色的熱性能�
此型號中� GA1206 表示其為 120V 額定電壓等級� MOSFET,具體參數和封裝設計使其適用于工�(yè)級應用環(huán)��
額定電壓�120V
連續(xù)漏極電流�65A
導通電阻:2.2mΩ
柵極電荷�95nC
總電容:2400pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1206A222FBCBT31G 的主要特點是低導通電阻(Rds(on)�,這可以顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,該器件還具備快速開關性能,適合高頻應用場��
它采用了先進的制程技術以�(yōu)化熱�,并且通過強化封裝設計進一步增強了散熱能力。同時,該芯片具有較高的雪崩擊穿能力� ESD 防護等級,能夠有效防止過載或異常情況下的損壞�
其封裝形式為 TO-247-3L,提供良好的電氣連接與機械穩(wěn)定�,便于安裝在各種 PCB 板上�
該芯片廣泛應用于直流-直流轉換�、電動工具、太陽能逆變�、不間斷電源(UPS)、電動汽車牽引逆變器以及其他需要高效功率轉換的場景�
由于其高電流承載能力和低導通電�,GA1206A222FBCBT31G 特別適合于大功率密度設計,能夠在緊湊的空間內實現強大的功能�
GA1206A222FBCT31G, IRFZ44N, FDP5500